p-i-n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法技术

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种p

【技术实现步骤摘要】
p
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n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法


[0001]本申请属于光电
，尤其涉及一种p
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n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]X光探测器(X
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ray detector)是一种将X射线能量转换为可供记录的电信号的装置。近年来，随着X光探测器的大规模推广和使用，X光探测器在小型安检设备、工业零件检测、大型集装箱检测、医疗等领域的运用越来越多。目前，X光探测器应用较多的是采用闪烁体的间接转化X光探测器，通常由闪烁体，探测器芯片，以及基板组合而成；工作原理是X光子入射进入闪烁体，转换为可见光输出，进入探测器芯片，再由探测器芯片进行光电转换，形成电信号，并通过芯片与基板上的导线传输至后续的信号处理芯片，从而形成最终的图像。
[0003]与之相比，直接转化X光探测器可直接将X光吸收转化为电荷载流子，具有所需辐射剂量小、空间分辨率高、对比度范围大以及器件结构简单等优势，在高端医疗影像应用方面有更广阔的应用前景。直接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种p
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n结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层，其中，所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿，其中，A包括碱金属离子或者有机铵离子，Z包括至少一种卤素。2.如权利要求1所述的p
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n结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述p型功能层包含氧化镍；和/或，所述n型功能层包含富勒烯。3.如权利要求1或2所述的p
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n结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述A包括Cs
+
或者Cs
+
和Rb
+
；和/或，所述有机铵离子包括：CH3NH
3+
、CH2(NH3)
2+
中的至少一种；和/或，所述卤素包括：氯、溴、碘中的至少一种。4.如权利要求3所述的p
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n结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述卤化物钙钛矿选自：CH3NH3PbI3、CH2(NH3)2PbI3、CsPbI3、CH3NH3PbBrI2、CsPbBr3中的至少一种。5.如权利要求1所述的p
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n结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述p型功能层的厚度为5～20μm；和/或，所述钙钛矿活性层的厚度为100～1000μm；和/或，所述n型功能层的厚度为1～9μm。6.一种p
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n结构钙钛矿基X光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取导电基底，在所述导电基底上制备第一半导体层；在所述第一半导体层背离所述导电基底的表面制备钙钛矿活性层；在所述钙钛矿活性层背离所述第一半导体层的表面制备第二半导体层；在所述第二半导体层背离所述钙钛矿活性层的表面制备背电极，得到p
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n结构钙钛矿基X光探测器；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层分别包含p型功能材料或者n型功能材料；所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿，其中，A包括碱金属离子或者有机铵离子，Z包括至少一种卤素。7.如权利要求6所述的p
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n结构钙钛矿基X光探测器的制备方法，其特征在于，所述p型功能材料包括氧化镍；和/或，所述n型功能材料包括富勒烯；和/或，所述卤化物钙钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛冬峰，李云龙，王晓明，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：