包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置制造方法及图纸

公开了包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置。该存储器装置包括：包括电阻存储器单元的第一非易失性存储器和控制器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。志比特。志比特。

【技术实现步骤摘要】
包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2020年6月23日提交于韩国知识产权局的题为“包括电阻存储器单元的存储器装置和包括该存储器装置的电子装置”的韩国专利申请No.10
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2020
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0076231以引用方式整体并入本文中。


[0003]实施例涉及包括电阻存储器单元的存储器装置以及包括该存储器装置的电子装置。

技术介绍

[0004]作为使用电阻材料的非易失性存储器装置，存在相变存储器装置(PRAM：相变随机存取存储器)、电阻存储器装置(RRAM：电阻RAM)、磁性存储器装置(MRAM：磁性RAM)等。动态存储器装置(DRAM)和闪速存储器装置使用电荷来存储数据，同时，使用电阻材料的非易失性存储器装置使用诸如硫族化物合金的相变材料的状态改变(PRAM)、可变电阻材料的电阻改变(RRAM)、MTJ(磁性隧道结)薄膜根据铁磁材料的磁化状态的电阻改变(MRAM)等来存储数据。
[0005]由于在执行操作时的高读取和写入速度、高耐久性、非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：第一非易失性存储器，其包括电阻存储器单元；以及控制器，其被配置为控制所述第一非易失性存储器，其中：所述控制器被配置为向所述第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址，所述控制器被配置为响应于所述第一编程命令从所述第一非易失性存储器接收第二数据，所述第二数据是来自编程有所述第一数据的电阻存储器单元的验证读取，所述控制器被配置为将所述第一数据与所述第二数据进行比较以检测故障单元的数量，当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，所述控制器被配置为生成通过将所述第一数据反转获得的第三数据，并且将所述第三数据提供给所述第一非易失性存储器，并且所述第一数据包括反转标志比特。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：所述电阻存储器单元被配置为存储包括第一状态以及不同于所述第一状态的第二状态的数据，所述第一状态具有逻辑值0，并且所述第二状态具有逻辑值1，并且包括所述第一状态的数据被存储在所述电阻存储器单元中时的写入错误率大于包括所述第二状态的数据被存储在所述电阻存储器单元中时的写入错误率。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述电阻存储器单元包括磁性随机存取存储器。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：所述第一数据包括数据比特和纠错码奇偶校验比特，并且所检测的故障单元包括与所述纠错码奇偶校验比特对应的存储器单元。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制器被配置为将擦除命令和所述第三数据一起提供给所述第一非易失性存储器。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制器被配置为向所述第一非易失性存储器提供所述第一数据的验证读取命令，并且响应于所述验证读取命令接收所述第二数据。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：所述控制器被配置为向所述第一非易失性存储器提供第一读取命令和所述第一地址，所述控制器被配置为响应于所述第一读取命令从所述第一非易失性存储器接收包括所述反转标志比特的第四数据，所述第四数据是从编程有所述第三数据的电阻存储器单元读取的，并且所述控制器被配置为，当所提供的第四数据的反转标志比特的逻辑值不同于所述第一数据的反转标志比特的逻辑值时，将所述第四数据反转。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：所述控制器包括纠错码模块，所述控制器被配置为向所述第一非易失性存储器提供第五数据、第二编程命令和第二
地址，所述控制器被配置为向所述第一非易失性存储器提供第二读取命令和所述第二地址，所述控制器被配置为响应于所述第二读取命令接收从编程有所述第五数据的电阻存储器单元读取的第六数据，并且所述纠错码模块被配置为对所述第六数据执行错误纠正以检测故障单元，当所检测到的故障单元的数量大于所述参考值时生成通过将所述第五数据反转获得的第七数据，并且将所述第七数据提供给所述第一非易失性存储器。9.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括不同于所述第一非易失性存储器的第二非易失性存储器，其中：所述第二非易失性存储器包括所述电阻存储器单元，所述控制器被配置为向所述第二非易失性存储器提供所述第一数据、第三编程命令和第三地址，所述控制器被配置为响应于所述第三编程命令从所述第二非易失性存储器接收第八数据，所述第八数据是来自编程有所述第一数据的电阻存储器单元的验证读取，所述控制器被配置为将所述第一数据与所述第八数据进行比较以检测故障单元的数量，所述控制器被配置为将所述第一数据提供给所述第二非易失性存储器，并且所述第八数据包括反转标志比特。10.一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括电阻存储器单元；读/写电路，其通过位线连接到所述存储器单元阵列；地址解码器，其通过字线连接到所述存储器单元阵列；以及控制逻辑，其连接到所述读/写电路和所述地址解码器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李桢赫，申慧旻，李康豪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：