光半导体装置(1)具备：多个半导体激光器(2)，它们从前端侧输出第一光，并且从与前端侧相反的一侧即后端侧输出第二光；光合波电路(4)，其对从多个半导体激光器(2)输出的第一光进行合波并将输出光(7)输出；多个波导路(8)，它们将第二光分别向该光半导体装置(1)的一端面(12)侧导波；以及多个光检测器(9)，它们接收在波导路(8)中进行了导波的第二光分别在一端面(12)或在形成于一端面(12)的多个凹部(14)的倾斜端面(35)反射后的各个反射光(11)。光检测器(9)配置于半导体激光器(2)的后端侧与一端面(12)或倾斜端面(35)之间，从波导路(8)输出的第二光相对于一端面(12)或倾斜端面(35)的垂线倾斜地输出。的垂线倾斜地输出。的垂线倾斜地输出。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置
[0001]本申请涉及光半导体装置。
技术介绍
[0002]近年来，在光通信的领域中，光传输方式的高速化以及大容量化不断发展，作为其核心技术，正在普及用1根光纤复用传输波长不同的多个光信号的波分复用(Wavelength Division Multiplexing：WDM)方式。另外，除了WDM方式以外，作为面向光传输方式的高速化以及大容量化所必须的另一个核心技术，在调制中利用光的相位信息的数字相干方式正在急速地发展。
[0003]在专利文献1的图26中记载了在数字相干方式的收发信号装置所使用的光半导体装置的波长可变光源。在专利文献1的图26的波长可变光源中，将半导体激光器阵列、对半导体激光器的输出光进行合波的合波器、以及将来自合波器的输出光放大的光放大器单片地集成。该波长可变光源构成为将从半导体激光器的一端亦即前端面输出的输出光(前方输出光)经由放大器从前端面输出，以便用于通信，为了能够监视从半导体激光器的另一端亦即后端面输出的输出光(后方输出光)，而将其从后端面输出。
[0004]专利文献1：日本特开2016
‑
149529号公报(图26)
[0005]在数字相干方式中，由于使用光的相位信息，因此光源的相位噪声成为问题。作为表示光源的相位噪声的指标，使用光谱线宽，光谱线宽的窄线宽化变得重要。
[0006]专利文献1的图26的波长可变光源构成为：将从半导体激光器阵列的各半导体激光器输出的后方输出光相对于后端面垂直地输出，在波长可变光源外部连接波长监视器。因此，存在后方输出光从后端面反射到半导体激光器，导致用于光通信的前方输出光的光谱线宽增大的问题。
技术实现思路
[0007]本申请说明书公开的技术的目的在于得到一种能够使从半导体激光器阵列的各半导体激光器输出的输出光因在后侧的端面的反射引起的向半导体激光器返回的返回光减少，能够抑制光通信用的输出光的光谱线宽增大的光半导体装置。
[0008]本申请的说明书公开的一个例子的光半导体装置是在半导体基板形成有多个半导体激光器、多个光检测器、多个波导路以及光合波电路的光半导体装置，该光半导体装置具备：多个半导体激光器，它们从前端侧输出第一光，并且从与前端侧相反的一侧即后端侧输出第二光；光合波电路，对从多个半导体激光器输出的第一光进行合波并将输出光输出；多个波导路，它们将第二光分别向该所述半导体装置的一端面侧进行导波；以及多个光检测器，它们接收在波导路中进行了导波的第二光分别在一端面或在形成于一端面的多个凹部的倾斜端面反射后的各个反射光。光检测器配置于半导体激光器的后端侧与一端面或倾斜端面之间，从波导路输出的第二光相对于一端面或倾斜端面的垂线倾斜地输出。
[0009]本申请说明书公开的一个例子的光半导体装置，由于每个半导体激光器具备接收
使从各半导体激光器的后端侧输出的第二光在一端面或在形成于一端面的凹部的倾斜端面反射后反射光的光检测器，因此能够减少因在后侧的端面的反射引起的向半导体激光器返回的返回光，从而能够抑制光通信用的输出光的光谱线宽的增大。
附图说明
[0010]图1是表示实施方式1的光半导体装置的图。
[0011]图2是图1的第三波导路的第一例以及光检测器的后端面侧的放大图。
[0012]图3是图1中的A
‑
A的剖视图。
[0013]图4是图1中的B
‑
B的剖视图。
[0014]图5是图1中的C
‑
C的剖视图。
[0015]图6是图1中的D
‑
D的剖视图。
[0016]图7是表示图1的第三波导路的第一例的图。
[0017]图8是表示图1的第三波导路的第二例的图。
[0018]图9是表示实施方式2的光半导体装置的图。
[0019]图10是图9中的E
‑
E的剖视图。
[0020]图11是表示实施方式3的光半导体装置的图。
[0021]图12是图11的第三波导路的第一例以及光检测器中的后端面侧的放大图。
[0022]图13是表示图11的第三波导路的第二例的图。
[0023]图14是表示图11的第三波导路的第三例的图。
[0024]图15是表示图11的第三波导路的第四例的图。
[0025]图16是表示实施方式4的光半导体装置的图。
具体实施方式
[0026]实施方式1.
[0027]参照附图对实施方式1的光半导体装置1进行说明。对相同或对应的构成要素标注相同的附图标记，并存在省略重复说明的情况。图1是表示实施方式1的光半导体装置的图，图2是图1的第三波导路的第一例以及光检测器中的后端面侧的放大图。图3是图1中的A
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A的剖视图，图4是图1中的B
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B的剖视图。图5是图1中的C
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C的剖视图，图6是图1中的D
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D的剖视图。图7是表示图1的第三波导路的第一例的图，图8是表示图1的第三波导路的第二例的图。实施方式1的光半导体装置1表示集成光检测器并且光谱线宽比以往窄的窄线宽光源的一个例子。实施方式1的光半导体装置1具备：多个半导体激光器2、光合波电路4、光放大器6、将各半导体激光器2与光合波电路4连接的多个第一波导路3、将光合波电路4与光放大器6连接的第二波导路5、从各半导体激光器2向后端面12延伸的多个第三波导路8、以及接收从各第三波导路8输出的第二输出光10的反射光11的多个光检测器9。多个半导体激光器2、多个第一波导路3、多个第三波导路8以及多个光检测器9分别构成半导体激光器阵列、第一波导路阵列、第三波导路阵列以及光检测器阵列。半导体激光器2、第一波导路3、第三波导路8以及光检测器9各自的数量相同。在图1中示出光检测器9相对于半导体激光器2的延伸方向倾斜地延伸的例子。
[0028]在图1中示出具备4个半导体激光器2的光半导体装置1的例子，但实际上半导体激
光器2为多个即可，例如也可以为16个。半导体激光器2例如是DFB
‑
LD(Distributed feedback
‑
laser diode)。各个半导体激光器2的一端与第一波导路3连接，另一端与第三波导路8连接，能够以不同的波长对单一模式的光进行振荡。另外，在光半导体装置1搭载有预备的半导体激光器2的情况下，也存在对相同波长的光进行振荡的半导体激光器2。光合波电路4为多输入
‑
输出的光合波电路。在半导体激光器2为16个的情况下，光合波电路4为16
×1‑
MMI(Multi
‑
Mode Interference)。光合波电路4在输入侧连接有多个第一波导路3，在输出侧连接有第二波导路5，对从各第一波导路3输入的对应的半导体激光器2的第一输出光进行合波，并将该合波后的第一输出光输出到第二波导路5。光放大器6与第二波导路5连接，放大第一输本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光半导体装置，在半导体基板形成有多个半导体激光器、多个光检测器、多个波导路以及光合波电路，其特征在于，具备：多个所述半导体激光器，它们从前端侧输出第一光，并且从与所述前端侧相反的一侧即后端侧输出第二光；所述光合波电路，它们对从多个所述半导体激光器输出的所述第一光进行合波并将输出光输出；多个所述波导路，它们将所述第二光分别向所述光半导体装置的一端面侧进行导波；以及多个所述光检测器，它们接收在所述波导路中进行了导波的所述第二光分别在所述一端面或在形成于所述一端面的多个凹部的倾斜端面反射后的各个反射光，所述光检测器配置于所述半导体激光器的所述后端侧与所述一端面或所述倾斜端面之间，从所述波导路输出的所述第二光相对于所述一端面或所述倾斜端面的垂线倾斜地输出。2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，在所述光检测器与输出该光检测器所接收的所述第二光的所述半导体激光器之间具备台面槽。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述台面槽形成于比所述半导体激光器靠所述光检测器一侧。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，所述光检测器相对于所述半导体激光器的延伸方向倾斜地延伸。5.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，所述光检测器相对于所述半导体激光器的延伸方向倾斜地延伸，所述光半导体装置具备台面槽，该台面槽形成为包围所述光检测器的长边即输出该光检测器所接收的所述第二光的所述半导体激光器侧的长边、和离开所述一端面或所述倾斜端面的短边。6.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：永尾龙介，奥贯雄一郎，松本启资，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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