阴极射线管的偏转系统技术方案

一种阴极射线管的偏转系统，安装有一个面板、一个漏斗管、一个用于发射电子束的电子枪、以及一个用于偏转从电子枪发出的电子束的偏转系统，所述偏转系统包括：　　　　一个在水平方向上偏转电子束的水平偏转线圈；　　　　一个在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转线圈；　　　　一个用于支撑且同时使水平和垂直偏转线圈绝缘的支撑体；和　　　　一个用于减小水平和垂直偏转线圈产生的在磁场回路上的漏通量的铁氧体磁心，其中，该铁氧体磁心的厚度小于６ｍｍ，并且假定该铁氧体磁心中存在最大和最小厚度点，该铁氧体磁心的最大厚度点的厚度不小于３ｍｍ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

01本专利技术涉及一种阴极射线管的偏转系统，特别是一种重量轻、体积小和制造成本低的阴极射线管的偏转系统，它基于一种通过大量试验获得的优化设计，通过将置入偏转系统中的一个铁氧体磁心制造得非常轻而薄来获得。
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02图1是说明作为
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的一种彩色阴极射线管结构的图。03该彩色阴极射线管的锥形真空管的前表面上具有一荧光屏，在颈部该荧光屏的对面有一个电子枪和一个偏转系统，借此，从电子枪发射出的电子束被偏转并与荧光屏撞击，从而显示图像。04如图1所示，该彩色阴极射线管的面板1和漏斗管2被牢固地密封在一起，从而使该阴极射线管11的内部一般处于真空状态。05该含有荧光物质(或磷)的荧光屏12被置于漏斗管的内部，并且电子枪13被装入漏斗管的颈部荧光屏12的对面。06一个选择颜色的荫罩14以一预定的间隔安装在荧光屏12和电子枪13之间，更明确地说是更接近荧光屏3。并且，一个用于偏转从电子枪13发射出的电子束的偏转系统15被放置在漏斗管的颈部。07简单说明一下上述结构的彩色阴极射线管的工作原理，从电子枪13射出的电子束16在水平和垂直方向上由偏转系统15进行偏转，发生了水平/垂直偏转的电子束16通过荫罩14上的一个电子束通过孔并最终击打在前面的荧光屏12上，从而显示一个所需的图像。08图2表示偏转系统的更具体的结构。09参照图2，作为
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的偏转系统15包括一个水平偏转线圈21和一个垂直偏转线圈22，用于使从电子枪发射出的电子束在水平或垂直方向上发生偏转；一个铁氧体磁心24，用于使水平和垂直偏转线圈21和22产生的磁力在其回路上的损失减到最小；一个支撑体23，用于支撑水平和垂直偏转线圈21和22和保证水平和垂直偏转线圈21和22之间的绝缘；消磁线圈25a和25b，被置于支撑体23的屏幕侧的顶部和底部末端，用以消除屏幕和偏转系统15的颈部产生的磁场漏；以及一个板27，在可将取线(fetch lines)连接到水平偏转线圈21上的一个接线端以及可导引电子束到达屏幕上预定位置的校正电路的帮助下，使用取线26a和26b，将消磁线圈25a和25b连接到水平偏转线圈21上。10通常，一个偏转系统4让具有15,75Khz或更高频率的电流流到水平偏转线圈41上，并且利用在该线圈周围产生的磁场，在水平方向上偏转阴极射线管内部的电子束16。11并且，所述偏转系统4让具有60Hz频率的电流流到垂直偏转线圈42上，并且利用在该线圈周围产生的磁场，在垂直方向上偏转阴极射线管内部的电子束。12因此，当偏转系统15在水平和垂直方向上对电子束16进行偏转并将它们在屏幕上会聚成一个点时，屏幕上就显示出一个图像。13当前已开发出的偏转系统之一为自会聚型偏转系统，它在水平和垂直偏转线圈21和22周围使用了非均匀磁场，以便于无需使用独立的额外电路或设备就可使R、G和B三电子束16会聚到屏幕上。14换言之，通过调整水平和垂直偏转线圈21和22的旋转(tuming)分布，此自会聚型偏转系统为每一段(即开口部、中间部、颈部)产生一个桶(barrel)形或枕(pin-cushion)形的磁场，并使那三个电子束16中的每一个，根据它们的位置(还要从不同的距离被会聚为一个点)，经受不同的偏转力，尽管每一个电子束起止于彼此不同的位置。15这里，偏转系统的屏幕部分指的是邻近屏幕具有相对大直径横截面的部分，而颈部指的是具有相对小直径横截面在屏幕部分相对侧的部分。16中部，顾名思义，指的是屏幕部分和颈部的中间部分。17上述定义将被同等地、分别地应用于偏转系统、偏转线圈、支撑体和铁氧体磁心的屏幕部分、颈部、屏幕侧末端和颈侧末端。18同时，阴极射线管制造商面临的典型问题之一是，如果他们仅仅使用通过让水平和垂直偏转电流流入线圈中而在水平和垂直偏转线圈21和22周围产生的磁场，则实际上很难把电子束16偏转到整个屏幕上。因此，有高导磁率的铁氧体磁心24通常被用于使水平和垂直偏转线圈21和22产生的磁场在它的回路上的损失减到最小，进而提高磁效率和磁力。19然而，可以观察到的是，偏转系统的屏幕部分和颈部不仅经常产生使电子束发生水平和垂直方向偏转的偏转磁场，而且还产生对人体非常有害的多余的磁场漏。20因此，需要一种降低阴极射线管的偏转系统的磁场漏的方法。21更明确地说，重点是要把产生在阴极射线管周围的磁漏保持在一个预定级别之下。考虑到从5Hz到2kHz范围的甚低频(ELF)带和从2kHz到400kHz范围的超低频(VLF)带是对人体非常有害的，降低磁场漏的方法是绝对必要的。22虽然一些制造商尝试了增加偏转系统屏幕部分半径和倾斜角度以获得高的偏转角度并最终减小阴极射线管的总长度，但是这却引起了磁场漏的剧增。23如上所述，大量研究集中在怎样减小阴极射线管的总长度。因此，就要开发一种可获得高偏转角度的技术。然而如此一来，可以观察到的是，随着偏转角度的增加，偏转系统屏幕部分的半径和倾斜角度也同时增加。导致的结果是，在水平偏转线圈处产生了更多的磁场漏。24作为另一种可以减少磁场漏的方式，可以把消磁线圈25a和25b安装在支撑体23屏幕侧的顶部和底部，或增加从铁氧体磁心24屏幕侧末端到水平偏转线圈屏幕侧末端的距离。25例如，图2表示所述偏转线圈的结构，其中，消磁线圈25a和25b被附着在支撑体23屏幕部分的顶部和底部。26从技术上讲，附着在支撑体23屏幕部分的顶部和底部的该对消磁线圈25a和25b产生的磁场消除了磁场漏。27消磁线圈25a和25b被连接到水平偏转线圈上的方式是使水平偏转线圈21屏幕部分产生的磁场漏和水平偏转电流流入消磁线圈25a和25b时产生的主偏转磁场方向相反，从而消除了偏转系统15的屏幕部分和颈部发生的磁场漏。28如上面所讨论的，如果通过提供一个电流给水平和垂直偏转线圈21和22来产生磁场从而达到使偏转电子束16偏转到整个屏幕的目的，则此方式产生的磁场不能充分地达到此目的。因此，具有高磁导率的铁氧体磁心24被用于使水平和垂直偏转线圈21和22产生的磁场在其回路上的损失减到最小。29通常，具有高磁导率的铁氧体磁心24主要包含氧化铁(Fe2O3)和其它添加剂(如Mn、Mg等)。30用于阴极射线管产品的铁氧体磁心24的形状主要为圆形，但为了提高效率也有用矩形的铁氧体磁心的。31在图3中，(a)表示圆形铁氧体磁心31，(b)表示矩形铁氧体磁心32。32实际上，铁氧体磁心的厚度和它放置的位置是考虑关于偏转系统的灵敏度和磁场漏的重要问题，因此，特别应该给予注意的是设计一个恰当的铁氧体磁心，从而制造高质量的偏转系统。33如上所述，铁氧体磁心24对于消除磁场非常有效，由此偏转系统的偏转效率得到提高，磁场漏被减小。出于这些原因，铁氧体磁心24通常看起来象一个包围着偏转系统的封闭环。34为了实现上述目的，铁氧体磁心24应该具有一个高磁导率(μ)(例如高于300)和一个高电阻，从而使因涡流造成的任何损失减到最小。35尽管做出了上述各种努力，如
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的阴极射线管偏转系统的铁氧体磁心仍然存在与成本、重量、体积和质量相关的问题。36例如，用于大部分偏转系统中的圆/锥形铁氧体磁心厚达6mm或更多，并且铁氧体磁心的对角部厚达8mm或更多。37然而，如果铁氧体磁心厚度超过了一个预定的级别，则超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阴极射线管的偏转系统，安装有一个面板、一个漏斗管、一个用于发射电子束的电子枪、以及一个用于偏转从电子枪发出的电子束的偏转系统，所述偏转系统包括一个在水平方向上偏转电子束的水平偏转线圈；一个在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转线圈；一个用于支撑且同时使水平和垂直偏转线圈绝缘的支撑体；和一个用于减小水平和垂直偏转线圈产生的在磁场回路上的漏通量的铁氧体磁心，其中，该铁氧体磁心的厚度小于6mm，并且假定该铁氧体磁心中存在最大和最小厚度点，该铁氧体磁心的最大厚度点的厚度不小于3mm。2.一种阴极射线管的偏转系统，安装有一个面板、一个漏斗管、一个用于发射电子束的电子枪、以及一个用于偏转从电子枪发出的电子束的偏转系统，所述偏转系统包括一个在水平方向上偏转电子束的水平偏转线圈；一个在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转线圈；一个用于支撑且同时使水平和垂直偏转线圈绝缘的支撑体；和一个用于减小水平和垂直偏转线圈产生的在磁场回路上的漏通量的铁氧体磁心，其中，该铁氧体磁心的厚度小于6mm，并且在该铁氧体磁心中存在最大和最小厚度点，并且该铁氧体磁心的最大厚度点被置于该铁氧体磁心颈侧末端和1/2Lf之间，这里Lf是该铁氧体磁心的长度。3.一种阴极射线管的偏转系统，安装有一个面板、一个漏斗管、一个用于发射电子束的电子枪、以及一个用于偏转从电子枪发出的电子束的偏转系统，所述偏转系统包括一个在水平方向上偏转电子束的水平偏转线圈；一个在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转线圈；一个用于支撑且同时使水平和垂直偏转线圈绝缘的支撑体；和一个用于减小水平和垂直偏转线圈产生的在磁场回路上的漏通量的铁氧体磁心，其中，所述漏斗管具有一个偏转系统放置部分，偏转系统安装于其上，并且偏转系统放置部分的内表面的横截面或偏转系统放置部分的内外表面的横截面同时从颈侧向接近屏幕侧从圆形逐渐转变为非圆形，并且所述铁氧体磁心的最大厚度点的厚度范围是从3mm到6mm。4.如权利要求1到3之一所述的偏转系统，其特征在于，所述铁氧体磁心的最小厚度点的厚度为不小于2mm。5.如权利要求1到3之一所述的偏转系统，其特征在于，所述铁氧体磁心的最大厚度点的厚度范围为从4mm到6mm。6.如权利要求1到3之一所述的偏转系统，其特征在于，当从颈侧末端到屏幕侧末端的水平偏转线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱炯涟，梁宇荣，
申请(专利权)人：LG飞利浦显示器韩国株式会社，
类型：发明
国别省市：