阴极射线管装置和电视接收机制造方法及图纸

一种阴极射线管装置，相对于管轴方向分别设置有：具备通过静电会聚束而构成的电子枪的阴极射线管；安装在该阴极射线管上地进行电子束的主偏转的主偏转线圈；和进行失真校正的辅助偏转线圈，其特征在于：　　　　将速度调制装置配备在上述辅助偏转线圈的阴极侧，在所述速度调制装置中，用以进行扫描束速度调制的速度调制线圈的外围的一部分或全部被２ＭＨｚ下的、初始导磁率为１０以上的材料覆盖。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
作为与本专利技术接近的已有技术的例子，VM装置由用于保持如日本公开专利特开平10-255689号公报的图1到图3和图9所示的由塑料等模压件构成的VM线圈的绕线架、作成矩形形状的VM线圈主体、或如特开9-182098号公报的图3所示的在VM线圈外围的2极、4极、6极会聚磁体、或如特开8-50868号公报的图3、4所示的以提高VM线圈灵敏度为目的的打印线圈等构成。
技术实现思路
本专利技术涉及包括仅由静电束构成的电子枪、具有进行扫描束速度调制的速度调制(下面叫作VM)线圈的阴极射线管装置，尤其是涉及VM线圈的高灵敏度和抑制来自VM线圈的泄漏磁场的专利技术。通常VM线圈的动作主要是与视频信号的强弱一致地使电子束主要在水平方向上变化偏转扫描速度从而提高画面的鲜亮度。因此，VM装置需要能够对覆盖视频频率的宽频带进行动作。而且，由于VM线圈配置在电子枪上，从而存在由于受到电子枪的涡流影响、而使有效灵敏度恶化的问题。或者，由于VM装置进行大功率宽频带驱动，从而耗电比较大，产生不需要的泄漏磁场和泄漏电场，这些噪声成为大问题。本专利技术的目的是为了用极其简易的结构解决上述问题，提供一种改善VM调制装置的灵敏度，同时降低从VM调制装置产生的泄漏磁场、电场等噪声，实现耗电降低的技术方案。为达到上述目的，本专利技术的特征在于将用2MHz的初始导磁率为10以上的材料覆盖了进行扫描束速度调制的VM线圈的外围的部分或全部的VM装置配备在偏转线圈(yoke)的阴极侧，或者，进行扫描束速度调制的VM线圈按环型(toroidal)卷绕，将其中适用于该VM线圈的铁芯由2MHz的初始导磁率为10以上的材料构成的VM装置配备在上述辅助偏转线圈的阴极侧。附图说明本专利技术的这些和其他特征、目的和优点从下面结合附图的说明中将变得更明显。其中图1是本专利技术的阴极射线管装置的示意侧视图；图2是本专利技术的阴极射线管装置的A-A’剖面示意图；图3是本专利技术的VM装置的侧视图；图4是本专利技术的阴极射线管装置的A-A’剖面示意图；图5是本专利技术的VM装置的特性图；图6是本专利技术的VM装置的特性图；图7是本专利技术的另一实施例的A-A’剖面示意图；图8是本专利技术的另一实施例的示意侧视图；图9是图8中另一实施例的特性图。具体实施例方式尽管根据我们的专利技术表示和描述了几个实施例，但应理解，在不背离本专利技术的范围的情况下，所公开的实施例可进行改变和变形。因此，并不由这里所示和所述的细节来限定专利技术，而是在后附权利要求的范围内可涵盖所有这些改变和变形。下面说明本专利技术的实施例。使用图1到图3说明本专利技术的VM装置的实施例。图1是根据本专利技术的实施例1的阴极射线管装置的示意侧视图，图2表示图1所示的A-A’剖面示意图，图3表示本专利技术的VM装置的主要部分的侧视图。在图1～图4中，1是阴极射线管装置，2是阴极射线管，3是偏转线圈，4是会聚线圈，5是VM装置，6是电子枪，电子枪6放射单束，由用电极间电位差会聚射束的静电会聚方式构成，相对于管轴方向，按顺序分别配置从荧光面侧偏向阴极侧的偏转线圈3、主要目的是进行失真校正的会聚线圈4、VM装置5。偏转线圈3中包括未示出的、在水平或垂直方向上进行扫描的偏转绕组和初始导磁率在300以上的高导磁率材料构成的铁芯。同样，会聚线圈4包括未示的、但在水平或垂直方向上进行扫描的会聚绕组和初始导磁率在300以上的高导磁率材料构成的铁芯。如图1所示，VM装置5配置在比颈(neck)管21上的会聚线圈4更靠近阴极侧的位置上，如图2，3所示，VM线圈51为鞍型或矩形形状，VM线圈51外围的一部分或全部配置有包含磁性件的磁性材料52。图5是表示图3所示本专利技术的实施例的实际测量结果的图，纵轴表示在将不存在磁性材料52时的VM线圈的功率指数设为1的情况下的相对VM线圈的功率指数，横轴表示2MHz下的磁性材料52的初始导磁率值。这里VM线圈的功率指数是指管面上束斑偏转0.5mm时，在所需的VM线圈51的电流为(I)和VM线圈51的电感为(L)的情况下L·I2的值。图5中，在目测评价方面，在相对VM线圈的功率指数(P)改善5％时，在例如42型投射型TV中，可确认清晰度的改善效果。因此，从图5的实际测量结果可知，如果初始导磁率的值为10以上，则可当作清晰度改善确认电平。图5中示出初始导磁率小于50的数据，但当然可以有初始导磁率大于50的情况。图6是实际测量相对VM线圈相对于图4所示的磁性材料52安装角度(θ)的功率指数的结果。从图6的实际测量结果可知，为满足清晰度改善可确认电平，磁性材料52的安装角度(θ)为15以上较好。或者，图3中，磁性材料52在Z方向上的安装位置不必位于VM线圈51的中心，也可以位于单侧。图4中，磁性材料52相对于X轴左右配置一对，也可以配置成由2对以上的磁性材料52构成。图7是根据本专利技术的另一实施例的阴极射线管的A-A’剖面示意图，与图2相同的序号具有同样的动作。图7所示的本专利技术的特长是将VM线圈51相对于磁性材料52按环型卷绕。虽然图7中VM线圈51几乎配置在磁性材料52的整个周边上，但VM线圈51不必配置在整个周边上，也可以配置成相对于X轴具有角度θ，或使VM线圈51的分布为中间抽空的分布。尤其是，在电感L的值根据驱动电路的电压界限值条件不能很大时，为了使每一匝的L值较大而进行的L微调较为困难。如果将上述VM线圈51配置成相对于角度θ适当分布，则即便卷数相同也可进行L微调。上述本专利技术的磁性材料52也可以由例如软铁氧体材料与粘接它们的非磁性材料的混合物构成。此时，可以容易且廉价地得到复杂形状，若例如为橡胶系树脂等非磁性材料，则具有得到柔韧的材质，从而容易地实现弯曲形状的磁性材料52的长处。同样，尽管图7的磁性材料52覆盖了整个周边，但不必完全覆盖，也可以是具有角度θ的形状。通过上述的本专利技术，由于从VM装置5放射的泄漏磁场或泄漏电场被磁性材料52屏蔽，从而具有从阴极射线管1放射的噪声被大幅度降低的长处。上述专利技术的阴极射线管装置1是放射单束的、例如投射管等的结构，但阴极射线管装置1当然可以是由例如包括彩色布朗管等放射多个电子束的静电会聚电子枪的电子枪和偏转该电子枪的偏转线圈所构成的阴极射线管，其也实现同样效果。图8表示将以进行射束对准和射束形状调整为目的的、由2极、4极或6极磁体构成的磁体装置7配置在本专利技术的VM装置5附近时的实施例。此时，从磁体装置7产生的校正磁场由磁性材料52屏蔽，因此降低来自磁体装置7的校正量。图9是表示在图8所示的实施例中，磁体装置7和磁性材料52的间隔(LG)在磁体装置7的2极磁体的荧光面上的相对束移动量的关系特性图。纵轴用不存在磁性材料52时的2极磁体的荧光面上的相对束移动量进行归一化，如果是0.95以上的值，在实际使用中没有问题。从该特性结果可知，磁体装置7和磁性材料52的间隔(LG)为6mm以上较好。尽管该特性图对应于磁体装置7位于阴极侧的情况，但磁体装置7位于荧光面侧的情况下也同样。以上VM装置的动作是将射束主要在水平方向上偏转的情况，但将上述的本专利技术的VM装置旋转90度，使射束在垂直方向上偏转也具有同样效果。上述本专利技术的阴极射线管装置可适用于投射型电视接收机或直视型电视接受机。如上说明，根据本专利技术，可提供一种VM装置和阴极射线管装置以及电视接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阴极射线管装置，相对于管轴方向分别设置有具备通过静电会聚束而构成的电子枪的阴极射线管；安装在该阴极射线管上地进行电子束的主偏转的主偏转线圈；和进行失真校正的辅助偏转线圈，其特征在于将速度调制装置配备在上述辅助偏转线圈的阴极侧，在所述速度调制装置中，用以进行扫描束速度调制的速度调制线圈的外围的一部分或全部被2MHz下的、初始导磁率为10以上的材料覆盖。2.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于所述速度调制装置中的上述速度调制线圈为马鞍型。3.一种阴极射线管装置，相对于管轴方向分别设置有具备通过静电会聚束而构成的电子枪的阴极射线管；安装在该阴极射线管上，进行电子束的主偏转的主偏转线圈；和进行失真校正的辅助偏转线圈，其特征在于进行扫描束速度调制的速度调制线圈按环型卷绕，将速度调制装置配置在上述辅助偏转线圈的阴极侧，在所述速度调制装置中，适用于该速度调制线圈中的铁芯由2MHz下的、初始导磁率为10以上的材料构成。4.一种阴极射线管装置，包括具备通过静电会聚束而构成的电子枪的电子枪和偏转...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井宗一，久田隆纪，渡边荣，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：