一种耐高温高压的硅堆二极管结构制造技术

本实用新型专利技术涉及二极管技术领域，且公开了一种耐高温高压的硅堆二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的外侧包裹着阻燃塑料外壳，所述二极管本体的上端连接有下引脚，所述下引脚的内部为中空设置，所述下引脚的圆心位置设置有上引脚，所述下引脚的靠上端开设有第一定位孔，所述上引脚的靠上端和靠下端均开设有第二定位孔，本实用新型专利技术通过设置下引脚、上引脚、第一定位孔、第二定位、紧固螺栓和螺母，利用它们之间的相互配合作用，从而可以实现将上引脚收缩进下引脚的空腔内，避免运输或包装过程中引脚长而容易碰撞损坏，其次通过设置阻燃塑料外壳，可以对二极管本体进行防火保护，提高了耐高温性能。提高了耐高温性能。提高了耐高温性能。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温高压的硅堆二极管结构


[0001]本技术涉及二极管
，具体为一种耐高温高压的硅堆二极管结构。

技术介绍

[0002]二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛，特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和错位以及对电源电压的稳压等多种功能，虽然硅堆二极管的种类有很多，但是依然无法满足使用者的需求。
[0003]现有的硅堆二极管，在运输或包装的过程中，容易因引脚长而导致碰撞损坏，且不方便运输和包装，其次无法对二极管本体进行防火保护，致使硅堆二极管耐高温性能弱，因此迫切的需要一种耐高温高压的硅堆二极管结构来解决上述不足之处。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种耐高温高压的硅堆二极管结构，解决了现有的硅堆二极管，在运输或包装的过程中，容易因引脚长而导致碰撞损坏，且不方便运输和包装，其次无法对二极管本体进行防火保护，致使硅堆二极管耐高温性能弱的问题。
[0005]本技术提供如下技术方案：一种耐高温高压的硅堆二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的外侧包裹着阻燃塑料外壳，所述二极管本体的上端连接有下引脚，所述下引脚的内部为中空设置，所述下引脚的圆心位置设置有上引脚，所述下引脚的靠上端开设有第一定位孔，所述上引脚的靠上端和靠下端均开设有第二定位孔，所述下引脚通过紧固螺栓依次穿过第一定位孔和第二定位孔并配合螺母与上引脚相连接，所述阻燃塑料外壳的上端连接有套筒，所述下引脚从下往上贯穿通过套筒。
[0006]优选的，所述套筒的长度小于下引脚的长度。
[0007]优选的，所述第一定位孔和第二定位孔的直径相同。
[0008]优选的，所述套筒的数量设置为两个，两个所述套筒关于阻优选的，所述下引脚和上引脚的数量均设置为两个。
[0009]优选的，所述下引脚和上引脚的长度相等。
[0010]与现有技术对比，本技术具备以下有益效果：
[0011]本技术通过设置下引脚、上引脚、第一定位孔、第二定位、紧固螺栓和螺母，利用它们之间的相互配合作用，从而可以实现将上引脚收缩进下引脚的空腔内，避免运输或包装过程中引脚长而容易碰撞损坏，其次通过设置阻燃塑料外壳，可以对二极管本体进行防火保护，提高了耐高温性能。
附图说明
[0012]图1为本技术的结构示意图；
[0013]图2为本技术的左视结构示意图；
[0014]图3为本技术下引脚与上引脚连接关系的结构示意图。
[0015]图中：1、二极管本体；2、阻燃塑料外壳；3、下引脚；4、上引脚；5、套筒；6、第一定位孔；7、第二定位孔；8、螺母；9、紧固螺栓。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
‑
3，一种耐高温高压的硅堆二极管结构，包括二极管本体1，二极管本体1的外侧包裹着阻燃塑料外壳2，设置阻燃塑料外壳2可以对二极管本体1进行防火保护，且提高了耐高温性能，二极管本体1的上端连接有下引脚3，下引脚3的内部为中空设置，下引脚3的圆心位置设置有上引脚4，下引脚3的靠上端开设有第一定位孔6，上引脚4的靠上端和靠下端均开设有第二定位孔7，下引脚3通过紧固螺栓9依次穿过第一定位孔6和第二定位孔7并配合螺母8与上引脚4相连接，利用它们之间的相互配合作用，从而可以实现将上引脚4收缩进下引脚3的空腔内，避免运输或包装过程中引脚长而容易碰撞损坏，阻燃塑料外壳2的上端连接有套筒5，下引脚3从下往上贯穿通过套筒5，套筒5的长度小于下引脚3的长度，第一定位孔6和第二定位孔7的直径相同，套筒5的数量设置为两个，两个套筒5关于阻燃塑料外壳2轴对称设置，下引脚3和上引脚4的数量均设置为两个，下引脚3和上引脚4的长度相等。
[0018]本技术的工作原理及使用流程：当需要运输时，则将上引脚4收缩进下引脚3的空腔内，将紧固螺栓9依次穿过第一定位孔6和靠上端的第二定位孔7并配合螺母8使下引脚3和上引脚4相固定，当使用时，则将紧固螺栓9旋下，将上引脚4沿着下引脚3的空腔往上抽，一直到上引脚4靠下端的第二定位孔7对准下引脚3的第一定位孔6为止，此时再次通过紧固螺栓9配合螺母8进行固定，阻燃塑料外壳2对二极管本体1进行防火保护，提高了硅堆二极管的耐高温性能。
[0019]所需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0020]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温高压的硅堆二极管结构，包括二极管本体(1)，其特征在于；所述二极管本体(1)的外侧包裹着阻燃塑料外壳(2)，所述二极管本体(1)的上端连接有下引脚(3)，所述下引脚(3)的内部为中空设置，所述下引脚(3)的圆心位置设置有上引脚(4)，所述下引脚(3)的靠上端开设有第一定位孔(6)，所述上引脚(4)的靠上端和靠下端均开设有第二定位孔(7)，所述下引脚(3)通过紧固螺栓(9)依次穿过第一定位孔(6)和第二定位孔(7)并配合螺母(8)与上引脚(4)相连接，所述阻燃塑料外壳(2)的上端连接有套筒(5)，所述下引脚(3)从下往上贯穿通过套筒(5)。2.根据权利要求1所述的一种耐高...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：