反激准谐振电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反激准谐振电路，包括反激电路和反激辅助电路，且反激电路包括控制单元、变压单元、第一半导体开关管以及第一充放电支路，反激辅助电路包括第二充放电支路和放电支路。控制单元的输出端与第一半导体开关管的控制端电性连接；第一充放电支路、第二充放电支路以及放电支路并联连接在控制单元的调频引脚和参考地之间，且第二充放电支路与第一半导体开关管同步通断，并为控制单元的调频引脚供电；放电支路在第一半导体开关管断开时导通，并对第一充放电支路和第二充放电支路进行放电。本实用新型专利技术实施例通过多个充放电支路保证第一半导体开关管在能够在振荡波形的谷底导通，从而有效地降低了第一半导体开关管的开关损耗。的开关损耗。的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
反激准谐振电路


[0001]本技术涉及开关电源领域，尤其是涉及一种反激准谐振电路。

技术介绍

[0002]反激电路因其电路简单，目前已被广泛应用于开关电源，特别是小功率多路隔离输出的开关电源。
[0003]现有的反激电路通常包括变压器、开关器件及为开关器件提供驱动信号的驱动电路。但由于变压器的初级绕组的寄生电容和开关器件的寄生输出电容的存在，开关器件在开通和关断交替工作过程中，这些寄生电容会被放电和充电，因此会给开关器件带来较大的开关损耗。特别是在输入电压较高时，当这些寄生电容被充电到最高电压，再通过开关器件开通放电时，开关器件的损耗尤为突出。
[0004]并且，由于开关器件的每个工作周期是固定的，而开关器件导通时间是随输入电压、输出功率变化而变化，因此开关器件很难在变压器初级绕组电感，寄生电容以及开关器件的寄生电容所产生的振荡的谷底导通，而在这些寄生电容存储的能量有时会在振荡的谷峰通过开关器件损耗掉，因此开关器件会产生较大损耗，特别是在输入电压较高时，这个损耗会非常大。

技术实现思路

[0005]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种反激准谐振电路，能够使开关器件在极振荡波形的谷底导通，从而有效地降低了反激电路中开关器件寄生电容以及变压器初级线包寄生电容能量通过开关器件放电带来的开关损耗。
[0006]第一方面，本技术的一个实施例提供了一种反激准谐振电路，包括反激电路和反激辅助电路，且所述反激电路包括控制单元、变压单元、第一半导体开关管以及第一充放电支路，所述反激辅助电路包括第二充放电支路和放电支路；其中，
[0007]所述第一半导体开关管串联连接在所述变压单元的初级绕组回路中，所述控制单元的输出端与所述第一半导体开关管的控制端电性连接；
[0008]所述第一充放电支路、第二充放电支路以及所述放电支路并联连接在所述控制单元的调频引脚和参考地之间，且所述第二充放电支路与所述第一半导体开关管同步通断，并为所述控制单元的调频引脚供电；所述放电支路在所述第一半导体开关管断开时导通，并对所述第一充放电支路和第二充放电支路进行放电。
[0009]本技术实施例的反激准谐振电路至少具有如下有益效果：本技术实施例采用第一充放电支路、第二充放电支路和放电支路进行实现一种准谐振电路，通过多个充放电支路和放电支路保证第一半导体开关管在能够在振荡波形的谷底导通，从而有效地降低了第一半导体开关管因释放第一半导体开关管和变压单元中初级绕组的寄生电容存储的能量带来的开关损耗。
[0010]在本技术实施例的反激准谐振电路中，所述第一充放电支路包括第一电容；所述第一电容的第一端与所述控制单元的调频引脚电性连接；所述第一电容的第二端连接参考地。
[0011]在本技术实施例的反激准谐振电路中，所述第二充放电支路包括第二电容、第二半导体开关管和第一电阻；所述第二电容和第二半导体开关管依次串联连接在所述控制单元的调频引脚与参考地之间，且所述第二半导体开关管的控制端经由所述第一电阻与所述第一半导体开关管的控制端电性连接。
[0012]在本技术实施例的反激准谐振电路中，所述变压单元包括辅助绕组和第一二极管，且所述辅助绕组的一端经由所述第一二极管与所述控制单元的正电源引脚电性连接；
[0013]所述放电支路包括第二电阻、第三半导体开关管和第三电阻；其中，所述第二电阻和第三半导体开关管依次串联连接在所述控制单元的调频引脚与参考地之间，所述第三半导体开关管控制端经由所述第三电阻与所述第一二极管的阳极电性连接。
[0014]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述放电支路还包括第二二极管和第四电阻，且所述第二二极管的阴极和第四电阻的第一端分别与所述第三半导体开关管的控制端电性连接，所述第二二极管的阳极和第四电阻的第二端分别连接参考地。
[0015]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述反激电路还包括第五电阻，所述控制单元的基准输出引脚通过所述第五电阻给所述第一电容和第二电容充电。
[0016]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述第一电容和第二电容的电容量大小的比值小于等于0.1。
[0017]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述反激电路还包括第三电容、第六电阻、第七电阻、第四电容、第八电阻和第九电阻，
[0018]所述第三电容的阳极与所述控制单元的正电源引脚电性连接，所述第三电容的阴极连接参考地，所述第四电容的第一端和第六电阻的第一端与所述控制单元的电流取样引脚电性连接，所述第四电容的第二端连接参考地，所述第六电阻的第二端与所述第一半导体开关管的第二端电性连接，所述第一半导体开关管的第二端通过所述第七电阻连接参考地，所述控制单元的正电源引脚通过第八电阻与外部电源电性连接。
[0019]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述第一半导体开关管和第二半导体开关管为场效应晶体管，所述第三半导体开关管为半导体三极管。
[0020]在本技术另一个实施例的反激准谐振电路中，所述反激准谐振电路还包括稳压电路和光耦，所述稳压电路的输入与所述反激电路的输出端电性连接；所述稳压电路的输出端通过所述光耦与所述控制单元的补偿引脚电性连接。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例中反激准谐振电路的一具体实施例模块框图；
[0022]图2是本技术实施例中反激准谐振电路一具体实施例的电路示意图；
[0023]图3是本技术实施例中控制单元的工作时序图。
具体实施方式
[0024]以下将结合实施例对本技术的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本技术保护的范围。
[0025]在本技术实施例的描述中，如果涉及到“若干”，其含义是一个以上，如果涉及到“多个”，其含义是两个以上，如果涉及到“大于”、“小于”、“超过”，均应理解为不包括本数，如果涉及到“以上”、“以下”、“以内”，均应理解为包括本数。如果涉及到“第一”、“第二”，应当理解为用于区分技术特征，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0026]参考图1，是本技术实施例提供的反激准谐振电路的示意图，该反激准谐振电路包括反激电路10和反激辅助电路20，且反激电路10包括控制单元11、变压单元13、第一半导体开关管Q1以及第一充放电支路12，反激辅助电路20包括第二充放电支路21和放电支路22。
[0027]如图1所示，第一半导体开关管Q1串联连接在变压单元13的初级绕组Np所在的回路中，控制单元11的输出端与第一半导体开关管Q1的控制端电性连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激准谐振电路，其特征在于，包括反激电路和反激辅助电路，且所述反激电路包括控制单元、变压单元、第一半导体开关管以及第一充放电支路，所述反激辅助电路包括第二充放电支路和放电支路；其中，所述第一半导体开关管串联连接在所述变压单元的初级绕组回路中，所述控制单元的输出端与所述第一半导体开关管的控制端电性连接；所述第一充放电支路、第二充放电支路以及所述放电支路并联连接在所述控制单元的调频引脚和参考地之间，且所述第二充放电支路与所述第一半导体开关管同步通断，并为所述控制单元的调频引脚供电；所述放电支路在所述第一半导体开关管断开时导通，并对所述第一充放电支路和第二充放电支路进行放电。2.根据权利要求1所述的反激准谐振电路，其特征在于，所述第一充放电支路包括第一电容；所述第一电容的第一端与所述控制单元的调频引脚电性连接；所述第一电容的第二端连接参考地。3.根据权利要求2所述的反激准谐振电路，其特征在于，所述第二充放电支路包括第二电容、第二半导体开关管和第一电阻；所述第二电容和第二半导体开关管依次串联连接在所述控制单元的调频引脚与参考地之间，且所述第二半导体开关管的控制端经由所述第一电阻与所述第一半导体开关管的控制端电性连接。4.根据权利要求3所述的反激准谐振电路，其特征在于，所述变压单元包括辅助绕组和第一二极管，且所述辅助绕组的一端经由所述第一二极管与所述控制单元的正电源引脚电性连接；所述放电支路包括第二电阻、第三半导体开关管和第三电阻；其中，所述第二电阻和第三半导体开关管依次串联连接在所述控制单元的调频引脚与参考地之间，所述第三半导体开关管控制端经由所述第三电阻与所述第一二极管的阳极电性连...

【专利技术属性】
技术研发人员：左德祥，石伟，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：