【技术实现步骤摘要】
本专利技术一种电子发射器件、使用该器件的电子源和图像显示设备。此外,本专利技术还涉及一种信息显示设备,比如电视,这种设备接收广播信号比如电视广播并执行在广播信号中包括的图像信息、字符信息和声频信息的显示和再现。
技术介绍
传统的表面导电型电子发射器件的制造过程使用附图24A至24D示意性地示出。首先,一对辅助电极2和3形成在基本绝缘的衬底1上(附图24A)。接着,该对辅助电极2和3与导电膜4连接(附图24B)。然后,执行被称为“通电形成(energization forming)”的处理,该处理通过在该对辅助电极2和3之间施加电压在导电膜4的一部分上形成第一间隙7(附图24C)。“通电形成”处理是使电流在导电膜4中流动以便通过该电流产生焦耳热在一部分导电膜4上形成第一间隙7的过程。彼此相对且其间放置有第一间隙7的一对电极4a和4b通过“通电形成”处理形成。然后,优选执行被称为“活化”的处理。“活化”处理原理上包括在含碳的气体环境中在辅助电极对2和3之间施加电压的过程。通过这种处理,碳膜21a和21b(它们都是导电膜)形成在第一间隙7中的衬底1上和在第一间隙7附近的电极4a和4b上(附图24D)。通过上述过程形成了电子发射器件。附图8A所示为在执行了“活化”处理之后电子发射器件的平面示意图。附图8B所示为沿着附图8A的线B-B’的剖面示意图,并且基本与附图24D相同。在附图24A至24D中,通过与附图8A和8B中的参考标号相同的参考标号表示的部件与附图8A和8B中的部件相同。在使电子发射器件发射电子时,使施加给辅助电极2和3中的一个电极的电位高于施加给另 ...
【技术保护点】
一种包括衬底和设置在所述衬底上并在其中包括间隙的导电膜的电子发射器件,其中所述衬底至少包括包含硅氧化物的第一部分和与所述第一部分并列设置的第二部分,所述第二部分的导热性比所述第一部分的导热性高,所述第一部分和所述第二部分的电阻比所述导电膜的电阻高,所述导电膜设置在所述第一部分和所述第二部分上,和所述间隙形成在所述第一部分之上。
【技术特征摘要】
JP 2005-7-25 2005-2145281.一种包括衬底和设置在所述衬底上并在其中包括间隙的导电膜的电子发射器件,其中所述衬底至少包括包含硅氧化物的第一部分和与所述第一部分并列设置的第二部分,所述第二部分的导热性比所述第一部分的导热性高,所述第一部分和所述第二部分的电阻比所述导电膜的电阻高,所述导电膜设置在所述第一部分和所述第二部分上,和所述间隙形成在所述第一部分之上。2.根据权利要求1所述的电子发射器件,其中所述第二部分并列地设置在所述第一部分的两侧以将所述第一部分夹在其间。3.根据权利要求1所述的电子发射器件,其中所述第二部分的导热性至少是所述第一部分导热性的四倍大。4.根据权利要求1所述的电子发射器件,其中构成所述第一部分和所述第二部分的材料的电阻率是108Ωm或更大。5.根据权利要求1所述的电子发射器件,其中所述导电膜的薄膜电阻是在102Ω/□至107Ω/□的范围内。6.根据权利要求1所述的电子发射器件,其中所述第一部分包含硅氧化物作为主要成分。7.一种电子发射器件,包括设置在衬底上的一对电极;和连接到该对电极的导电膜,所述导电膜在其一部分上包括间隙,其中具有比所述导电膜的电阻更高的电阻的层设置在所述导电膜上,所述层包括孔隙,所述间隙通过该孔隙被暴露出来,和所述衬底在所述孔隙之下的位置处的导热性低于所述层的导热性。8.一种包括多个电子发射器件的电子源,每个电子发射器件根据权利要求1至7中的任一权利要求制备。9.一种图像显示设备,包括根据权利要求8所述的电子源和响应从所述电子源发射的电子的辐射而发光的发光部件。10.一种信息显示设备,该信息显示设备包括输出在所接收的广播信号中包含的图像信息、字符信息和声频信息中至少一种信息的至少一个接收器和连接到所述接收器的图像显示设备,其中所述图像显示设备根据权利要求9制备。11.一种电子发射器件的制造方法,该电子发射器件配备有在其一部分上包括间隙的导电膜,该电子发射器件的制造方法包括制备衬底,该衬底至少包括第一部分和具有比所述第一部分的导热性更高的导热性的第二部分,所述第二部分与所述第一部分并列设置,其中所述第一部分和所述第二部分设置在导电膜之下,该导电膜具有比所述第一部分和所述第二部分的电阻更低的电阻;和通过使电流在所述导电膜中流动,在所述第一部分之上的一部分导电膜处形成间隙。12.根据权利要求11所述的电子发射器件的制造方法,其中所述第二部分并列地设置在所述第一部分的两侧以将所述第一部分夹在其间。13.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:糠信恒树,佐藤崇广,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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