一种显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。述第二电极中的一个短接。述第二电极中的一个短接。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有源矩阵有机发光二极管面板(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)相比传统的液晶面板，具有反应速度较快、对比度更高以及视角更广等特点。传统的白光AMOLED面板是由WOLED(White Organic Light
‑
Emitting Diode，白光有机发光二极管)器件加上RGB三种颜色的彩色滤色器(color filter，CF)实现的。白光有机发光二极管的发光单元是由不同颜色的子发光单元组成的，具体地，不同颜色的子发光单元通过电荷生成层堆叠串联起来。然而这种面板结构中，RGB三种颜色的彩色滤色器的透过率比较低，WOLED发射的白光大部分能量都被彩色滤色器吸收，为保证显示亮度，需增大通过WOLED的电流，导致显示面板功耗增加，WOLED的寿命也变短。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
[0005]在示例性实施方式中，所述子像素还包括：短接结构层，所述短接结构层包括导电材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
[0006]在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第二发光材料层和所述第二电极绝缘。
[0007]在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第二电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第一发光材料层和第一电极绝缘。
[0008]在示例性实施方式中，所述短接结构层位于所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层的周侧。
[0009]在示例性实施方式中，所述短接结构层中设置有第一开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第一开口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的四周、所述第一发光材料层的四周、所述电荷生成层的四周以及所述第二发光材料层的四周。
[0010]在示例性实施方式中，每个所述子像素还包括：像素界定层，所述像素界定层中设置有第二开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第二开口中，所述像素界定层的侧部设置有缺口，所述短接结构层与所述像素界定层同层设置，且所述短接结构层设置于所述缺口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的部分周侧、所述第一发光材料层的的部分周侧、所述电荷生成层的部分周侧以及所述第二发光材料层的的部分周侧。
[0011]在示例性实施方式中，所述导电材料层为金属或导电氧化物。
[0012]在示例性实施方式中，所述绝缘材料层为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
[0013]在示例性实施方式中，所述第一发光材料层中设置有第一穿孔，所述电荷生成层通过所述第一穿孔与所述第一电极连接；和/或，所述第二发光材料层中设置有第二穿孔，所述电荷生成层通过所述第额穿孔与所述第二电极连接。
[0014]在示例性实施方式中，所述第一发光材料层发出的光线和所述第二发光材料层发出的光线混合后为白光。
[0015]在示例性实施方式中，所述第一发光材料层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子发光材料层和第二子发光材料层，所述子发光材料层发出的光线和所述第二子发光材料层发出的光线混合后为黄光。
[0016]在示例性实施方式中，还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述多个子像素远离所述衬底基板一侧；所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块，每个所述子像素在所述衬底基板的正投影位于一个所述色阻块在所述衬底基板的正投影内。
[0017]第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
[0018]第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
[0019]在衬底基板的一侧形成多个子像素，每个所述子像素至少包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极；
[0020]其中，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
[0021]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0022]附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
[0023]图1为本专利技术实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图一；
[0024]图2为本专利技术实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图二；
[0025]图3为本专利技术实施例显示基板一个像素单元的剖视图一；
[0026]图4为本专利技术实施例显示基板的第一子像素中发光器件的放大图；
[0027]图5为本专利技术实施例显示基板的第三子像素中发光器件的放大图；
[0028]图6为本专利技术实施例显示基板中各子像素的俯视图一；
[0029]图7为本专利技术实施例显示基板形成第一电极以及第三导电材料层图案后的示意图；
[0030]图8为本专利技术实施例显示基板形成绝缘材料层图案后的示意图；
[0031]图9为本专利技术实施例显示基板形成第一导电材料层和第二导电材料层图案后的示意图；
[0032]图10为本专利技术实施例显示基板形成第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极图案后的示意图；
[0033]图11为本专利技术实施例显示基板一个像素单元的剖视图二；
[0034]图12为本专利技术实施例显示基板一个像素单元的剖视图三；
[0035]图13为本专利技术实施例显示基板中各子像素的俯视图二。
具体实施方式
[0036]下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0037]在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。2.根据权利要求1所述显示基板，其特征在于，所述子像素还包括：短接结构层，所述短接结构层包括导电材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。3.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第二发光材料层和所述第二电极绝缘。4.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第二电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第一发光材料层和第一电极绝缘。5.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层位于所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层的周侧。6.根据权利要求5所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层中设置有第一开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第一开口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的四周、所述第一发光材料层的四周、所述电荷生成层的四周以及所述第二发光材料层的四周。7.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，每个所述子像素还包括：像素界定层，所述像素界定层中设置有第二开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第二开口中，所述像素界定层的侧部设置有缺口，所述短接结构层与所述像素界定层同层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓虎，王路，焦志强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：