空穴注入材料、电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

一种空穴注入材料、电致发光器件和显示装置，所述空穴注入材料包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：|LUMO(B)

【技术实现步骤摘要】
空穴注入材料、电致发光器件和显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种空穴注入材料、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光器件(Electroluminescence Device,ELD)包括有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)和无机发光二极管(Light
‑
Emitting Diode,LED)。近年来，有机电致发光器件作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
[0003]目前产品中的EL器件为了优化电压和载流子的注入，均采用空穴传输(Hole Transport,HT)材料的p型掺杂技术。通过对HT材料的p型掺杂，增加空穴从阳极的注入，增加迁移率以改善器件的电压。图1为EL器件中的红绿蓝(RGB)像素的分布示意图；如图1所示，该EL器件包括阴极1、p型掺杂HT材料形成的功能层2、蓝色像素区3、红色像素区4、绿色像素区5、像素定义层(Pixel Definition Layer,PDL)6、沉积在基底上的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)层7等，其中RGB三个颜色的像素是通用的。虽然蓝色像素区3、红色像素区4、绿色像素区5三个像素区域之间由像素定义层6隔开，但是由于p型掺杂HT材料形成的功能层2是通用层，在通电时会有电流的横向漂移。这就造成了低灰阶下，纯色的G像素工作时，会看到微弱的R像素发光。这就是颜色的串扰问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0005]本公开实施例提供一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：
[0006]|LUMO(B)
‑
HOMO(A)|≤0.3eV；
[0007]Rs(A)≥1
×
10
11
Ω/sq；
[0008]其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。
[0009]在示例性实施例中，所述p型掺杂材料的重量可以占所述第一空穴传输材料重量的1％至5％，并且
[0010]Rs(AB)≥1
×
109Ω/sq；
[0011]其中，Rs(AB)为所述空穴注入材料的横向电阻。
[0012]在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以为以9
‑
苯基咔唑为核的线性第一空穴传输材料。
[0013]在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料的结构通式可以为：
[0014][0015]其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
[0016]在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
[0017][0018]其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
[0019]在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
[0020][0021][0022][0023]在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自通式III化合物、2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲、2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7
’
,8,8
’‑
四氰基对苯醌(F4TCNQ)和1,2,3
‑
三[(氰基)(4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
[0024][0025]其中，X、Y可以各自独立地选自O、S、取代或未取代的C、N；R1、R2可以各自独立地选自取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子数的芳烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳氧基；并且，当R1、R2选自取代的烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基时，所述烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基的取代基中可以含有氟。
[0026]在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
[0027][0028][0029]本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括空穴注入层，所
述空穴注入层的材料为如上所述的空穴注入材料。
[0030]在示例性实施例中，所述电致发光器件还可以包括：阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0031]在示例性实施例中，所述空穴传输层的材料可以包括第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料的结构通式可以为：
[0032][0033]其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
[0034]在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
[0035][0036]其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
[0037]在示例性实施例中，所述第二空穴传输材料可以选自化合物1
‑
1、化合物1
‑
2、化合物1
‑
3、化合物1
‑
4、化合物1
‑
5、化合物1
‑
6和化合物1
‑
7中的任意一种或多种。
[0038]在示例性实施例中，所述电子阻挡层的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种。
[0039]在示例性实施例中，所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：|LUMO(B)
‑
HOMO(A)|≤0.3eV；Rs(A)≥1
×
10
11
Ω/sq；其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。2.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料的重量占所述第一空穴传输材料重量的1％至5％，Rs(AB)≥1
×
109Ω/sq；其中，Rs(AB)为所述空穴注入材料的横向电阻。3.根据权利要求2所述的空穴注入材料，其特征在于，所述第一空穴传输材料为以9
‑
苯基咔唑为核的线性第一空穴传输材料。4.根据权利要求3所述的空穴注入材料，其特征在于，所述第一空穴传输材料的结构通式为：其中，R3选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。5.根据权利要求4所述的空穴注入材料，其特征在于，R3的结构通式为：其中，R4和R5各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。6.根据权利要求4所述的空穴注入材料，其特征在于，所述第一空穴传输材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料选自通式III化合物、2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲、2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7
’
,8,8
’‑
四氰基对苯醌(F4TCNQ)和1,2,3
‑
三[(氰基)(4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；其中，X、Y各自独立地选自O、S、取代或未取代的C、N；R1、R2各自独立地选自取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子数的芳烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳氧基；并且，当R1、R2选自取代的烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基时，所述烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基的取代基中含有氟。8.根据权利要求1至6中任一项所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
9.一种电致发光器件，其特征在于，包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为根据权
利要求1至8中任一项所述的空穴注入材料。10.根据权利要求9所述的电致...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，邱丽霞，王丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：