一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物。本申请的光提取层具有高折射率，能够提升有机电致发光器件的发光效率。本申请还提供了一种包含本申请有机电致发光器件的显示装置。一种包含本申请有机电致发光器件的显示装置。一种包含本申请有机电致发光器件的显示装置。一种包含本申请有机电致发光器件的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置


[0001]本申请涉及有机发光显示
，特别是涉及一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件是一种多层有机薄膜结构，其中发光层位于阴阳极之间。通电后发光层发出的光从透明电极一侧透射出来，光由于在各个膜层之间发生全反射等波导效应而损失。在透明电极上增加一层高折射率的光提取层，可以大幅提高出光效率。
[0003]光提取层可以是无机化合物，也可以是有机化合物。无机化合物的特点在于折射率高，有利光提取，但是镀膜温度很高(>1000℃)，这种镀膜会对有机元器件造成损坏。有机物薄膜蒸镀温度低，工艺上比无机化合物具有更大优势。有机电致发光二极管(OLED)元件基本都使用能够提升OLED光取出效率的有机光提取材料。折射率是光提取材料最重要的指标，通常光提取层的折射率越高，则从电极到光提取层出光效率越高，OLED的发光效率越高。
[0004]目前，用于OLED光提取层的光提取材料主要是韩国东进世美肯株式会社的专利CN111217778A以及日本保土谷的专利CN103828485A中的芳族胺化合物，该类化合物(例如化合物1
‑
1和1
‑
2)的折射率依然有待提高。
[0005][0006]
技术实现思路

[0007]鉴于现有技术的上述问题，本申请的目的在于提供一种有机电致发光器件，其具有高的发光效率。
[0008]本申请第一方面提供了一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层
包含通式(I)的化合物：
[0009][0010]其中，
[0011]Ar0选自通式(II)，X选自O或S，其中*代表连接位点；
[0012]Ar1和Ar2各自独立地选自未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的杂芳基；
[0013]L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的亚芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的亚杂芳基；
[0014]所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N；
[0015]所述Ra各自独立地选自氘、C1‑
C4的烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0016]本申请第二方面提供了一种显示装置，其包含本申请提供的有机电致发光器件。
[0017]本申请提供的有机电致发光器件，包括高折射率的光提取层，利用光提取层折射率高的优点，更加有效地促进光取出，从而提升了有机电致发光器件的发光效率。本申请提供的显示装置具有优良的显示效果。
[0018]当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一种实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施方式。
[0020]图1为本申请的一种实施方式的有机电致发光器件示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域普通技术人员基于本申请中的实施例所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请第一方面提供了一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物：
[0023][0024]其中，
[0025]Ar0选自通式(II)，X选自O或S，其中*代表连接位点；
[0026]Ar1和Ar2各自独立地选自未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的杂芳基；
[0027]L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的亚芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的亚杂芳基；
[0028]所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N；
[0029]所述Ra各自独立地选自氘、C1‑
C4的烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0030]优选地，Ar0选自以下通式(II
‑
a)或(II
‑
b)的结构：
[0031][0032]其中，X选自O或S。
[0033]优选地，Ar1和Ar2各自独立地选自通式(II)、未取代或被Ra取代的C6‑
C
20
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的杂芳基；
[0034]优选地，L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6‑
C
20
的亚芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的亚杂芳基。
[0035]更优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自以下基团：
[0036][0037]Y选自O、S或N
‑
R1；
[0038]R1选自C1‑
C5的烷基、C3‑
C6的环烷基、未取代或被Ra取代的C6‑
C
12
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的杂芳基；
[0039]更优选地，所述L1、L2和L3各自独立地选自单键或以下亚基：
[0040][0041]再优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自以下基团：
[0042][0043]R1选自C1‑
C5的烷基、C3‑
C6的环烷基、未取代或被Ra取代的C6‑
C
12
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的杂芳基；
[0044]再优选地，所述L1、L2和L3各自独立地选自单键或以下亚基：
[0045][0046]优选地，所述Ar0、Ar1和Ar2中的至少两个选自相同的基团。
[0047]例如，所述通式(I)的化合物选自以下化合物：
[0048][0049][0050][0051][0052][0053]在本申请中，对于有机电致发光器件的种类和结构没有特别限制，可以为本领域公知的各种类型和结构的有机电致发光器件。
[0054]本申请的有机电致发光器件，可以是顶部发光结构的发光器件，可以举出在基板上依次包含阳极电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物：其中，Ar0选自通式(II)，X选自S或O，其中*代表连接位点；Ar1和Ar2各自独立地选自未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的杂芳基；L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6‑
C
30
的亚芳基、或者未取代或被Ra取代的C2‑
C
30
的亚杂芳基；所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N；所述Ra各自独立地选自氘、C1‑
C4的烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自通式(II)、未取代或被Ra取代的C6‑
C
20
的芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的杂芳基；L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6‑
C
20
的亚芳基、或者未取代或被Ra取代的C5‑
C
12
的亚杂芳基。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述Ar1和Ar2各自独立地选自以下基团：Y选自O、S或N
‑
R1；R1选自C1‑
C5的烷基、C3‑
C...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃，丰佩川，薛智友，邢其锋，陈义丽，邱创弘，胡灵峰，
申请(专利权)人：烟台京师材料基因组工程研究院，
类型：发明
国别省市：