【技术实现步骤摘要】
PTAA的发光，器件的启亮电压明显低于PTAA光学带隙能量。该方法可以作为获得超低启亮电压深蓝光OLED器件的有效途径。
[0006]本专利技术的技术方案：
[0007]1.超低启亮电压深蓝光OLED器件制备过程：
[0008]ITO玻璃衬底作为OLED器件的阳极，在衬底上利用溶液法旋涂PEDOT：PSS溶液制备空穴传输层，在空穴传输层上旋涂BN
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Ullazine：PTAA溶液制备混合发光层，在混合发光层上通过真空热蒸镀法依次沉积Bphen电子传输层、LiF电子缓冲层以及金属Al阴极。所述BN
‑ꢀ
Ullazine衍生物的分子结构式，如图1(a)所示。主体两侧的硼原子上引入甲基、苯基、三甲基苯基，氮原子上引入苄基。PTAA的分子结构式，如图1(b)所示。
[0009]所制备的四种深蓝光OLED器件结构分别为：
[0010]器件1：ITO/PEDOT：PSS/BN
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Ullazine
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a：PTAA/Bphen/LiF/Al
[0011]器件2：I...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件(OLED)，其特征在于：所述超低启亮电压深蓝光OLED器件包括三种不同取代基的BN
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Ullazine衍生物与聚[双(4
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苯基)(2，4，6
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三甲基苯基)胺](PTAA)，以特定比例掺杂形成混合发光层，所述混合发光层一侧设有空穴传输层，所述空穴传输层背对所述混合发光层的一侧设有透明导电衬底，所述混合发光层背对空穴传输层一侧依次设有电子传输层、电子缓冲层及金属背电极。2.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述透明衬底为氧化铟锡(ITO)玻璃衬底，ITO为导电阳极，方块电阻约为10Ω/sq，所需ITO玻璃衬底经清洗、烘干、预处理后备用。3.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于空穴传输层为聚(3，4
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乙烯二氧噻吩)
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聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)薄膜，利用溶液法在ITO衬底上旋涂成膜，膜厚为40nm。4.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述混合发光层以BN
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Ullazine衍生物为主体，BN
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Ullazine本体两侧的硼原子上引入甲基(Me)、苯基(Ph)、三甲基苯基(Mes)，氮原子上引入苄基(Bn)。5.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述混合发光层以聚合物PTAA为客体掺杂剂。其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓明，晋孟佳，刘旭光，崔明宽，芮红松，杨楠，兰宝发，侯卉晴，路宽宽，印寿根，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：
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