【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件、显示基板及显示装置
[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种电致发光器件、显示基板及显示装置。
技术介绍
[0002]量子点(Quantum Dot，简称QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供的显示模组，包括：
[0004]层叠设置的电子传输层和量子点发光层；
[0005]离子型配合物层，位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；其中，在所述离子型配合物层内具有内建电场。
[0006]可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其中，包括：层叠设置的电子传输层和量子点发光层；离子型配合物层，位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；其中，在所述离子型配合物层内具有内建电场。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；所述离子型配合物层为位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的独立膜层；所述内建电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述量子点发光层包括量子点、配体以及电荷平衡离子，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物层的离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反。4.如权利要求3所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；所述内建电场包括位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第一电场，以及位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第二电场；其中，所述第一电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极；所述第二电场靠近所述空穴传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。5.如权利要求3所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为正置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述量子点发光层背向所述电子传输层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述量子点发光层之间依次层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层，以及位于所述电子传输层背向所述衬底基板一侧的阴极；所述内建电场包括位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第三电场，以及位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第四电场；其中，所第三电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极；所第四电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。6.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述离子型配合物层的材料为有机金属配合物。7.如权利要求6所述的电致发光器件，其中，所述离子型配合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中，所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基恶二唑吡啶、氟代苯基吡啶或联吡啶中的一种；所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、六(五氟苯基)磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸或六[双(三氟甲基)苯基]磷酸中
的一种。8.如权利要求7所述的电致发光器件，其中，所述电荷平衡离子包括正电荷平衡离子和负电荷平衡离子，其中，所述正电荷平衡离子包括所述阳离子部分、NH
4+
或Na
+
，所述负电荷平衡离子包括所述阴离子部分、Cl-或PF
6-。9.一种显示基板，其中，包括如权利要求1-8任一项所述的电致发光器件。10.一种显示...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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