【技术实现步骤摘要】
氧化锌纳米材料及其制备方法、半导体器件
[0001]本专利技术属于显示
,尤其涉及一种氧化锌纳米材料及其制备方法,以及一半导体器件。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(QLED)是包括阴极、量子点发光层和阳极的结构。当外加电压时,电子和空穴分别从各自电极注入,两者复合发光。为了提高QLED的载流子迁移率,通常会在阴极和量子点发光层中引入电子传输层,在量子点发光层和阳极之间引入空穴传输层和空穴注入层。QLED由于其光谱在可见光区连续可调,宽吸收窄发射、高的色纯度和发光强度等优异性能得到越来越多的关注。
[0003]ZnO是一种常见的
Ⅱ-Ⅵ
半导体化合物,其材料的禁带宽度可达3.34eV,具有光电性能协调性,是一种理想的电子传输层材料。以电子传输层材料-ZnO基纳米晶作为QLED器件的载流子传输材料得到广泛的研究。在氧化锌应用过程中,由于用于制备纳米氧化锌电子传输层的氧化锌纳米颗粒的粒径一般都接近甚至小于5nm,在此情况下氧化锌纳米颗粒具有非常大的比表面积,导致氧化锌颗粒非常不稳定,容易产生 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化锌纳米材料,其特征在于,所述氧化锌纳米材料包括ZnO纳米颗粒,以及结合在所述ZnO纳米颗粒上的表面配体,所述表面配体的结构如下式1所示,式1中,R1、R2、R3、R4、R5各自独立地选自氢、碳原子数为1~3的烷氧基、氨基中的至少一种;且R1、R2、R3、R4、R5中含有1~3个碳原子数为1~3的烷氧基和0~1个氨基。2.如权利要求1所述的氧化锌纳米材料,其特征在于,式1中,R1、R2、R3、R4、R5中含有2个碳原子数为1~3的烷氧基和0~1个氨基;且至少R2或R3选自碳原子数为1~3的烷氧基。3.如权利要求1或2所述的氧化锌纳米材料,其特征在于,所述表面配体选自对甲氧基苯甲酰胺、间甲氧基苯甲酰胺、邻甲氧基苯甲酰胺、对乙氧基苯甲酰胺、间乙氧基苯甲酰胺、邻乙氧基苯甲酰胺、2,5-二甲氧基苯甲酰胺、3,5-二甲氧基苯甲酰胺、2,4-二甲氧基苯甲酰胺、3,4-二甲氧基苯甲酰胺、5-氨基-4-甲氧基苯甲酰胺中的至少一种。4.如权利要求3所述的氧化锌纳米材料,其特征在于,所述氧化锌纳米材料由ZnO纳米颗粒以及结合在所述ZnO纳米颗粒上的表面配体组成。5.如权利要求1、2、4任一项所述的氧化锌纳米材料,其特征在于,所述氧化锌纳米材料中,所述ZnO纳米颗粒与结合在所述ZnO纳米颗粒上的表面配体的摩尔比为1:5~1:50。6.一种氧化锌纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:配制ZnO纳米颗粒和表面配体的混合溶液;其中,表面配体的结构如下式1所示,式1中,R1、R2、R3、R4、R5各自独立地选自氢、碳原子数为1~3的烷氧基、氨基中的至少一种;且R1、R2、R3、R4、R5中含有1~3个碳原子数为1~3的烷氧基和0~1个氨基;将所述ZnO纳米颗粒和表面配体的混合溶液反应,制备含有表面配体的氧化锌纳米颗粒。7.如权利要求6所述的氧化锌纳米材料的制备方法,其特征在于,式1中,R1、R2、R3、R4、R5中含有2个碳原子数为1~3的烷氧基和0~1个氨基;且至少R2或R3选自碳原子数为1~3的烷氧基。
8.如权利要求6所述的氧化锌纳米材料的制备方法,其特征在于,所述表面配体选自对甲氧基苯甲酰胺、间甲氧基苯甲酰胺、邻甲氧基苯甲酰胺、对乙氧基苯甲酰胺、间乙氧基...
【专利技术属性】
技术研发人员:李俊杰,张天朔,郭煜林,
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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