氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜，包括氧化锌基膜，以及与所述氧化锌基膜中的氧化锌结合的Lewis碱。本申请提供的氧化锌薄膜，在氧化锌基膜表面引入Lewis碱后，氧化锌表面缺陷与未饱和的Zn

【技术实现步骤摘要】
氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种氧化锌薄膜及其制备方法，以及一种量子点发光二极管。

技术介绍

[0002]传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。量子点(Semiconductor quantum dots，QDs)具有多种特性，包括：(1)可通过改变颗粒尺寸来调节发射光谱；(3)激发光谱比较宽、发射光谱狭窄、吸收性强；(3)光稳定性很好；(4)荧光寿命较长等。半导体量子点材料作为一种新型的无机半导体荧光材料，具有重要的商业应用价值。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。量子点由于其优异的发光特性，在量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)的应用上得到快速发展。
[0003]ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV的低功函，且具有稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，使得ZnO可成为合适的电子传输层材料。Z本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化锌薄膜，其特征在于，包括氧化锌基膜，以及与所述氧化锌基膜中的氧化锌结合的Lewis碱。2.如权利要求1所述的氧化锌薄膜，其特征在于，所述Lewis碱包括至少一个芳环或芳杂环，以及结合在所述芳环或芳杂环上的吸电子基团。3.如权利要求2所述的氧化锌薄膜，其特征在于，所述吸电子基团选自氰基、甲氧基、苯乙烯基、磺酸基、羧基和甲酰基中的至少一种。4.如权利要求1至3任一项所述的氧化锌薄膜，其特征在于，所述Lewis碱选自1.2-二氰基苯、甲氧基苯、2-氰基吡啶、4-氰基吡啶、氰基苯乙酮、四氰基苯、1,4-二甲氧基苯和对甲氧基苯胺中的至少一种。5.一种氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：配置Lewis碱的醇溶液；在氧化锌基膜上沉积所述Lewis碱的醇溶液，加热处理，制备氧化锌薄膜。6.如权利要求5所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述Lewis碱包括至少一个芳环或芳杂环，以及结合在所述芳环或芳杂环上的吸电子基团。7.如权利要求6所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述吸电子基团选自氰基、甲氧基、苯乙烯基、磺酸基、羧基和甲酰基中的至少一种。8.如权利要求5所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述Lewis碱选自1.2-二氰基苯、甲氧基苯、2-氰基吡啶、4-氰基吡啶、氰基...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，张天朔，李俊杰，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：