发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、设备和介质制造方法及图纸

本公开涉及一种发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、设备和介质。所述方法包括：获取发光二极管支架的待检测图像；确定所述待检测图像中的关键区域；基于所述关键区域，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域；对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测，得到所述待检测图像的缺陷检测结果。陷检测结果。陷检测结果。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、设备和介质


[0001]本公开涉及图像处理
，尤其涉及一种发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]智能化工业质检是计算机视觉及工业质检领域的重要问题和工业4.0技术战略的重要发展方向。半导体行业的智能化工业质检是智能化工业质检的重要课题之一。
[0003]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)支架通常由高精度的镀银铜片和高反射率的EMC(Epoxy Molding Compound，环氧塑封料)模压而成。若发光二极管支架的外观存在缺陷，则后续容易在发光二极管芯片固晶、焊线等方面出现问题。因此，对发光二极管支架进行缺陷检测具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种发光二极管支架的缺陷检测技术方案。
[0005]根据本公开的一方面，提供了一种发光二极管支架的缺陷检测方法，包括：
[0006]获取发光二极管支架的待检测图像；
[0007]确定所述待检测图像中的关键区域；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管支架的缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取发光二极管支架的待检测图像；确定所述待检测图像中的关键区域；基于所述关键区域，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域；对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测，得到所述待检测图像的缺陷检测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取发光二极管支架的待检测图像之后，所述对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测之前，所述方法还包括：采用预先训练的第一神经网络对所述待检测图像进行潜在缺陷区域检测，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述确定所述待检测图像中的关键区域，包括：获取所述发光二极管支架对应的掩膜图像；基于所述掩膜图像，确定所述待检测图像中的关键区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩膜图像，确定所述待检测图像中的关键区域，包括：对所述待检测图像进行降噪处理，得到降噪后的待检测图像；将所述降噪后的待检测图像与所述掩膜图像进行匹配处理，得到所述待检测图像中的关键区域。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述待检测图像进行降噪处理，得到降噪后的待检测图像，包括：对所述待检测图像进行双边滤波处理和高斯滤波处理，得到降噪后的待检测图像。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述关键区域，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域，包括：对所述关键区域进行二值化，得到所述关键区域对应的二值化图像；对所述二值化图像进行平滑处理，得到所述关键区域对应的平滑图像；确定所述平滑图像中的连通区域；根据所述连通区域，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述二值化图像进行平滑处理，得到所述关键区域对应的平滑图像，包括：采用菱形滤波器对所述二值化图像进行平滑处理，得到所述关键区域对应的平滑图像。8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述根据所述连通区域，确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域，包括：响应于任一连通区域的尺寸大于或等于第一预设尺寸，将所述连通区域确定为所述待检测图像中的潜在缺陷区域。9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用预先训练的第一神经网络对所述待检测图像进行潜在缺陷区域检测，确定所述待检测图像中的潜在缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：马政，张伟，
申请(专利权)人：深圳市商汤科技有限公司，
类型：发明
国别省市：