两低四高多端口基站天线制造技术

本发明专利技术提供一种两低四高多端口基站天线，由上至下依次为第一低频辐射阵列、第三高频辐射阵列、第四高频辐射阵列以及第二低频辐射阵列；其中，第一低频辐射阵列和第一高频辐射阵列叠合布设，第二低频辐射阵列和第二高频辐射阵列叠合布设，在缩小天线尺寸的同时，有效降低水平波束宽度，提高前后比，可覆盖低频790

【技术实现步骤摘要】
两低四高多端口基站天线


[0001]本专利技术涉及无线通信
，尤其涉及一种两低四高多端口基站天线。

技术介绍

[0002]随着移动通信系统的迅速发展，天线作为其重要组成部分也面临着严峻的考验。近年来，多种网络制式共存共站，使得站址资源日益紧张，多端口、多制式天线能极大节省天面空间、建设资源、维护成本，多端口天线逐渐成为发展趋势。
[0003]目前，低频多端口天线设计一般采用2列或者3列以上低频直线阵列肩并肩排列，通过缩小两列直线阵之间的距离来实现小型化，同时辅以一些特殊的边界来减少阵元之间的互耦，但这种布设方式对于天线指标提升有限。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种两低四高多端口基站天线，用以解决现有技术中多端口基站天线的性能不良的问题。
[0005]本专利技术提供一种两低四高多端口基站天线，包括：第一低频辐射阵列、第二低频辐射阵列、第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列以及第四高频辐射阵列；
[0006]所述第一低频辐射阵列包括多个第一低频振子，所述第二低频辐射阵列包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种两低四高多端口基站天线，其特征在于，包括：第一低频辐射阵列、第二低频辐射阵列、第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列以及第四高频辐射阵列；所述第一低频辐射阵列包括多个第一低频振子，所述第二低频辐射阵列包括多个第二低频振子，所述第一高频辐射阵列包括多个第一高频振子，所述第二高频辐射阵列包括多个第二高频振子，所述第三高频辐射阵列包括多个第三高频振子，所述第四高频辐射阵列包括多个第四高频振子；其中，位于尾端的两个所述第一低频振子相对于其余的所述第一低频振子偏移布置；位于首端的一个所述第三高频振子相对于其余的所述第三高频振子偏移布置，偏移布置的所述第三高频振子位于两个所述第一低频振子之间；位于尾端的一个所述第四高频振子相对于其余的所述第四高频振子偏移布置，偏移布置的所述第四高频振子位于两个所述第二低频振子之间；位于尾端的两个所述第二低频振子相对于其余的所述第二低频振子偏移布置；位于尾端的所述第一高频振子相对于其余的所述第一高频振子偏移布置，部分所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子；位于首端的所述第二高频振子相对于其余的所述第二高频振子偏移布置，部分所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子。2.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，位于末端的所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子，且等间隔布置的多个所述第一高频振子均嵌设于所述第一低频振子；位于首端的所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子，且等间隔布置的多个所述第二高频振子均嵌设于所述第二低频振子。3.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，相邻的两个所述第一低频振子之间的距离为d1，位于尾端的两个所述第一低频振子的偏移距离为S2；相邻的两个所述第二低频振子之间的距离为d1，位于首端的两个所述第二低频振子的偏移距离为S2；位于首端的所述第一低频振子和位于尾端的所述第二低频振子之间的距离为S1；其中，S1＝0.5～0.66λ1，S2＝0.15～0.25λ1，d1＝0.7～0.9λ1；λ1为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长。4.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，相邻的两个所述第一高频振子之间的距离为d2，位于尾端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；相邻的两个所述第二高频振子之间的距离为d2，位于首端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；位于首端的所述第一高频振子和位于尾端的所述第二高...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明威，滕康平，周书磊，
申请(专利权)人：中信科移动通信技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：