【技术实现步骤摘要】
一种用于金刚石的生长装置及方法
[0001]本专利技术涉及金刚石生产
，尤其涉及一种用于金刚石的生长装置及方法。
技术介绍
[0002]金刚石气相沉积生长常用的有热灯丝，直流电弧和微波等离子体生长方法，在真空低气压下，氢气和少量气态碳氢或碳氢氧化合物在高温下分解，得到碳活性粒子和原子氢。在合适的条件下会得到金刚石，生长速度每小时几微米或几十微米。金刚石的生长速度与碳活性粒子浓度成正比，而高的碳活性粒子浓度只有在高的原子氢浓度时才生成金刚石，否则生成石墨。原子氢浓度随热源温度呈指数增长。高的热源温度需要大的能量密度，现在最高的是微波等离子体方法，能量密度约是10KW/cm3。大的能量密度不仅能提高生长速度，而且能在更高的气压下进行金刚石生长，
[0003]目前，有采用接近大气压下用微波法进行金刚石生长，但还不能脱离真空设备，真空的使用会大大增加设备投资负担和使工艺变得繁琐复杂。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，而提出的一种用于金刚石的生长装置及方法。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于金刚石的生长装置，其特征在于，包括十字形管件，所述十字形管件的外侧设置有加热套管，且十字形管件的内部设置有金刚石沉积衬底，还包括：混气机构，所述混气机构和十字形管件之间通过细管相连通；以及放电机构，所述放电机构用于加热混气机构导出的气流。2.根据权利要求1所述的一种用于金刚石的生长装置，其特征在于，所述混气机构包括第一导气管、第二导气管和混气瓶，所述第一导气管上设置有第一微调阀，且第一导气管的端部连通有储气瓶，所述储气瓶和混气瓶之间通过连通管相连通，所述第二导气管上设置有第二微调阀，且第二导气管的端部和混气瓶之间相连通，所述细管的一端和混气瓶相连通，且细管的另一端贯穿设置于十字形管件中。3.根据权利要求2所述的一种用于金刚石的生长装置，其特征在于，所述放电机构包括：电源单元，为电极单元提供合适的电压、电阻、电容、电感；电极单元，振动电极产生电弧在大气压下点燃辉光放电，得到均匀稳定的辉光放电或电弧辉光混合放电；电极控制单元，控制电极单元工作或者休息；控制单元，通过控制电极控制单元控制电极单元，实现对电弧周围温度的调控；电源单元的输出端连接电极单元的第一输入端；电极控制单元的输出端连接电极单元的第二输入端；控制单元的输出端连接电极控制单元的输入端。4.根据权利要求3所述的一种用于金刚石的生长装置，其特征在于，所述电源单元包括第一直流电源、第一电感、第一电容、第一限流电阻，第一直流电源的正极连接第一限流电阻，第一限流电阻的另一端连接第一电容、第一电感，...
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