发光装置以及使用了该发光装置的电子设备及检验方法制造方法及图纸

本申请的发光装置(1、1A、1B、1C)具备光源(2)和第一荧光体(4)，该光源(2)放射光能量密度超过0.5W/mm2的初级光(6)，该第一荧光体(4)吸收初级光并转换成波长比初级光长的第一波长转换光(7)。成为第一荧光体的母体的化合物是金属元素为一种的简单氧化物或者以种类不同的多个该简单氧化物为端成分而成的复合氧化物。以初级光的峰波长的能量换算值为E1电子伏特并以第一波长转换光的荧光峰波长的能量换算值为E2电子伏特时，简单氧化物的晶体的带隙能量Eg比E1与E2之和大。电子设备具备发光装置。检验方法利用发光装置。检验方法利用发光装置。检验方法利用发光装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置以及使用了该发光装置的电子设备及检验方法


[0001]本专利技术涉及发光装置以及使用了该发光装置的电子设备及检验方法。

技术介绍

[0002]以往以来，已知有将放射激光的激发光源与包含多种荧光体的波长转换体组合而成的发光装置。作为这样的具有放射激光的光源的发光装置，例如已知有激光照明装置、激光投影仪。而且，就具有放射激光的光源的发光装置来说，通常进行荧光体的高光密度激发。
[0003]就这样的发光装置来说，通常随着来自激发光源的激光的能量密度增加，由荧光体发出的光的强度(亮度)趋向增加。然而，在激光的能量密度比规定值高的情况下，由荧光体发出的光的强度变得难以增加。即，会发生由荧光体发出的光输出饱和的现象。以往可以认为：这样的荧光输出饱和依赖于荧光体的发光寿命。因此，以往认为具有较长的发光寿命的荧光体与具有短的发光寿命的荧光体相比，难以发出高强度的荧光。
[0004]因此，专利文献1公开了通过使用发光寿命短的荧光体而能够得到具有高亮度并且显色性优异的输出光的光源装置。具体来说，公开了具备激发光源和接受来自该激发光源的激发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，其具备光源和第一荧光体，所述光源放射光能量密度超过0.5W/mm2的初级光，所述第一荧光体吸收所述初级光并转换成波长比所述初级光长的第一波长转换光，其中，成为所述第一荧光体的母体的化合物是金属元素为一种的简单氧化物或者以种类不同的多个所述简单氧化物为端成分而成的复合氧化物，以所述初级光的峰波长的能量换算值为E1电子伏特并以所述第一波长转换光的荧光峰波长的能量换算值为E2电子伏特时，所述简单氧化物的晶体的带隙能量比E1与E2之和大。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述简单氧化物的晶体的带隙能量为4.6eV以上。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一荧光体在成为母体的所述化合物的晶体中包含选自Al、Ga及Sc中的至少一种元素。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，所述第一波长转换光包含基于过渡金属离子的电子能量跃迁的荧光，所述过渡金属离子为Cr
3+
。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，在所述第一荧光体中，成为母体的所述化合物的晶体中的阳离子元素仅由取三价的化合价的元素形成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光装置，其中，所述初级光是在380nm以上且小于435nm的波长范围内具有发光峰的紫色光或者在435nm以上且小于470nm的波长范围内具有发光峰的蓝色光。7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其中，所述初级光为激光。8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，所述第一波长转换光是在700nm以上且小于1000nm的波长范围内具有荧光峰的近红外光。9.根据权利要求1～8中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：新田充，阿部岳志，大盐祥三，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：