一种驱动基板、发光装置及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:31500100 阅读:60 留言:0更新日期:2021-12-22 23:08
本发明专利技术提供了一种驱动基板、发光装置及其制作方法,涉及显示技术领域。本发明专利技术通过在器件设置区和电路板绑定区依次层叠设置刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层,在弯折区依次层叠设置的第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层;搭接电极层的两端分别延伸至器件设置区和电路板绑定区,器件设置区的走线层和电路板绑定区的走线层分别通过过孔与搭接电极层连接。通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层,减少弯折区的膜层数,从而实现弯折区中膜层的厚度降低,进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力,保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹,确保了弯曲区的弯折信赖性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动基板、发光装置及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种驱动基板、发光装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]为了适应显示器轻薄化的发展趋势,在LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)之后出现了微LED(包括Micro LED和Mini LED)技术。微LED技术的一大优势在于可以实现拼接,用一定数量的小尺寸的驱动基板来实现超大尺寸的显示。
[0003]在通过多个小尺寸的驱动基板拼接形成大尺寸的驱动基板时,由于单个驱动基板具有边框,故在相邻驱动基板之间必然存在拼接缝,为了减小拼接缝,需要在驱动基板中设置弯折区,将弯折区弯折以减小拼接缝,而弯折区中膜层的最大弯曲应变力对驱动基板的质量有着很大的影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种驱动基板、发光装置及其制作方法,以实现降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力,提高驱动基板的质量的问题。
[0005]为了解决上述问题,本专利技术提供了一种驱动基板,包括:器件设置区、电路板绑定区,以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区;
[0006]所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层;
[0007]所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层;
[0008]其中,所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区,所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。
[0009]可选的,所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层;
[0010]其中,所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接;所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。
[0011]可选的,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。
[0012]可选的,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层,所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。
[0013]可选的,所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层,所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接;
[0014]所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述
第二走线层的第三缓冲层,所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
[0015]可选的,所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层,所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。
[0016]可选的,所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层,所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。
[0017]可选的,在所述弯折区处于非弯折状态下,所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底沿同一水平面设置;在所述弯折区处于弯折状态下,所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
[0018]可选的,在所述弯折区处于弯折状态下,所述器件设置区与所述弯折区的接触面上、所述电路板绑定区与所述弯折区的接触面上,以及所述器件设置区的刚性衬底与所述电路板绑定区的刚性衬底之间设置有粘接层。
[0019]可选的,所述脱粘层的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料;所述脱粘层的厚度为30nm至100nm。
[0020]可选的,所述搭接电极层的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种;所述搭接电极层的厚度为300nm至800nm。
[0021]可选的,所述第一缓冲层的厚度为50nm至300nm;所述有机材料层的厚度小于或等于6μm;所述第二缓冲层的厚度为50nm至300nm。
[0022]为了解决上述问题,本专利技术还提供了一种发光装置,包括电路板、发光器件以及上述的驱动基板,所述发光器件与所述器件设置区的走线层连接,所述电路板与所述电路板绑定区的走线层连接。
[0023]为了解决上述问题,本专利技术还提供了一种发光装置的制作方法,包括:
[0024]提供基底,所述基底包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层和第一缓冲层;所述基底被划分为器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区;
[0025]在所述基底的所述弯折区形成搭接电极层,所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区;
[0026]形成覆盖所述第一缓冲层和所述搭接电极层的有机材料层;
[0027]在所述有机材料层上形成第二缓冲层;
[0028]在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层;所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接;
[0029]去除所述弯折区的刚性衬底。
[0030]可选的,所述在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层的步骤,包括:
[0031]在所述器件设置区和所述电路板绑定区分别形成贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔和第二过孔;
[0032]在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层;所述第一走线层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述搭接电极层连接。
[0033]可选的,在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层的步骤之后,还包括:
[0034]形成覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层;
[0035]在所述器件设置区的所述平坦层上形成第二走线层;所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接;
[0036]形成覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层;所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
[0037]可选的,在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之前,还包括:
[0038]将发光器件与所述器件设置区的所述第二走线层连接,并将所述电路板与所述电路板绑定区的所述第一走线层连接;
[0039]在所述发光器件远离所述刚性衬底的一侧形成第一胶层,并在所述发光器件的侧壁形成第二胶层。
[0040]可选的,所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤,包括:
[0041]采用激光剥离工艺去除所述弯折区的所述刚性衬底和所述脱粘层。
[0042]可选的,在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之后,还包括:
[0043]在所述刚性衬底远离所述脱粘层的一侧、所述器件设置区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁,以及所述电路板绑定区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁设置粘本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动基板,其特征在于,包括:器件设置区、电路板绑定区,以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区;所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层;所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层;其中,所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区,所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。2.根据权利要求1所述的驱动基板,其特征在于,所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层;其中,所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接;所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。3.根据权利要求2所述的驱动基板,其特征在于,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。4.根据权利要求3所述的驱动基板,其特征在于,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层,所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。5.根据权利要求3所述的驱动基板,其特征在于,所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层,所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接;所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层,所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。6.根据权利要求1所述的驱动基板,其特征在于,所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层,所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。7.根据权利要求4或5所述的驱动基板,其特征在于,所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层,所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。8.根据权利要求1所述的驱动基板,其特征在于,在所述弯折区处于非弯折状态下,所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底沿同一水平面设置;在所述弯折区处于弯折状态下,所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。9.根据权利要求8所述的驱动基板,其特征在于,在所述弯折区处于弯折状态下,所述器件设置区与所述弯折区的接触面上、所述电路板绑定区与所述弯折区的接触面上,以及所述器件设置区的刚性衬底与所述电路板绑定区的刚性衬底之间设置有粘接层。10.根据权利要求1所述的驱动基板,其特征在于,所述脱粘层的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料;所述脱粘层的厚度为30nm至100nm。11.根据权利要求1所述的驱动基板,其特征在于,所述搭接电极层的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种;所述搭接电极层的厚度为300nm...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱小研卢鑫泓柳锦女
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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