具有减小的间距的LED阵列制造技术

本文公开了用于减小发光二极管(LED)阵列中的LED之间间距的技术。根据本发明专利技术的一个方面，一种器件包括具有多个LED的阵列和与多个LED中的至少两个相邻LED欧姆接触的反射器(1250)。多个LED中的每个LED包括p触点(1270)，并且反射器与多个LED中的每个LED的p触点物理分离。分离。分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减小的间距的LED阵列
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年5月28日提交的美国申请第62/853,381号和2019年10月23日提交的美国申请第16/661,486号的优先权。出于所有目的，美国申请第62/853,381号和美国申请第16/661,486号的内容通过引用以其整体并入本文。


[0003]本公开涉及LED阵列。
[0004]背景
[0005]发光二极管(LED)将电能转换为光能，并提供许多优于其他光源的优势，诸如减小尺寸、改善耐用性和提高效率。LED可用作许多显示系统(诸如电视、计算机监视器、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、投影系统和可穿戴电子设备)中的光源。基于III族氮化物半导体(诸如AlN、GaN、InN等的合金)的微LED(“μLED”)由于其尺寸小(例如，线性尺寸小于100μm、小于50μm、小于10μm或小于5μm)、高组装密度(packing density)(因此分辨率更高)和高亮度而已开始被开发用于各种显示应用。例如，可以使用发出不同颜色(例如红色、绿色和蓝色)光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括：阵列，所述阵列包括多个发光二极管(LED)；以及反射器，所述反射器与所述多个LED中的至少两个相邻LED欧姆接触，其中：所述多个LED中的每个LED包括p触点，并且所述反射器与所述多个LED中的每个LED的p触点物理分离。2.根据权利要求1所述的器件，其中，在所述反射器和半导体的n型层之间的界面处形成n触点。3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述两个相邻LED沿着横向方向相邻，并且所述界面位于所述两个相邻LED的倾斜侧面之间的相交处；或者优选地，其中所述两个相邻LED沿着横向方向相邻，并且所述界面位于所述两个相邻LED之间的所述半导体的平坦区域处；或者优选地，其中所述两个相邻LED沿着对角线方向相邻，并且所述界面位于所述两个相邻LED之间的所述半导体的平坦区域处。4.根据权利要求1、权利要求2或权利要求3所述的器件，其中，在所述LED的透明导电氧化物层和所述半导体的p型层之间的界面处形成所述p触点。5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中，所述多个LED中的每个LED具有圆锥形台面形状。6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，还包括金属网，所述金属网与所述多个LED中的每个LED的阻挡金属物理接触。7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中，所述多个LED的间距小于或等于1.8μm。8.一种方法，包括：在半导体的表面上形成层的多个叠层，其中，对于所述多个叠层中的每个叠层，在所述叠层和所述半导体的p型层之间的界面处形成p触点；蚀刻所述半导体以形成对应于所述多个叠层的多个台面形；在所述多个台面形中的每一个的至少一部分上和所述多个叠层中的每一个的至少一部分上形成电介质；以及在所述电介质的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：脸谱科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：