具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置包括衬底、多个位线结构、多个触点、多个防护柱以及多个电容器。所述衬底具有存储区以及围绕所述存储区的周边区。所述多个位线结构彼此平行地设置于所述存储区中的所述衬底上。所述多个触点设置于相邻的所述位线结构之间，且与所述衬底电连接。所述多个防护柱设置于所述衬底上且位于所述存储区与所述周边区的交界处的相邻的所述位线结构之间。所述多个电容器设置于所述多个触点上而与所述多个触点电连接。个触点上而与所述多个触点电连接。个触点上而与所述多个触点电连接。

【技术实现步骤摘要】
具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]在目前的半导体存储装置(例如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM))的工艺中，在衬底上形成多个平行排列的位线结构之后，会于相邻的位线结构之间形成与衬底的有源区电连接的触点，且此触点会与后续所形成的电容器电连接。
[0003]在形成触点的过程中，通常会先在相邻的位线结构之间界定出欲形成触点的位置，然后进行湿蚀刻工艺来移除所述位置处的介电层(通常为氧化物层)以形成触点开孔，之后再于触点开孔中形成导电层。在进行上述湿蚀刻工艺期间，为避免周边区中的介电层被移除，会于周边区中的介电层上形成光刻胶层来对其进行保护。然而，当湿蚀刻工艺的时间过长时，存储区与周边区的交界处的介电层(甚至周边区中的介电层)仍会被部分移除而对后续工艺造成影响。此外，若为了避免上述问题而使得上述光刻胶层覆盖至存储区与周边区的交界处(甚至覆盖部分存储区)，则可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：衬底，具有存储区以及围绕所述存储区的周边区；多个位线结构，彼此平行地设置于所述存储区中的所述衬底上；多个触点，设置于相邻的所述位线结构之间，且与所述衬底电连接；多个防护柱，设置于所述衬底上且位于所述存储区与所述周边区的交界处的相邻的所述位线结构之间；以及多个电容器，设置于所述多个触点上而与所述多个触点电连接。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个防护柱在所述位线结构的延伸方向上位于所述存储区的至少一侧。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括多个绝缘柱，设置在相邻的所述触点之间，其中所述多个防护柱的材料与所述多个绝缘柱的材料相同。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括导电层，位于所述多个绝缘柱与所述多个防护柱之间。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个位线结构中的每一个包括由依序设置于所述衬底上的绝缘层、导电层与掩模层构成的堆叠结构以及位于所述堆叠结构的侧壁上的间隔件，且所述多个防护柱位于所述衬底的有源区上。6.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，其中所述衬底具有存储区以及围绕所述存储区的周边区；在所述衬底上形成多个位线结构，其中所述多个位线结构彼此平行地设置于所述存储区中的所述衬底上；在所述存储区以及所述周边区中的所述衬底上形成介电层；在所述存储区中，于相邻的所述位线结构之间的所述介电层中形成多个绝缘柱；在所述存储区与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昶鸿，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：