一种具有光电二极管效应的AZO薄膜器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的氧化锌掺铝(AZO)薄膜器件及其制备方法。本发明专利技术以p

【技术实现步骤摘要】
一种具有光电二极管效应的AZO薄膜器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子
，具体地说，涉及一种具有光电二极管效应的AZO薄膜器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，薄膜器件在各个领域得到了广泛关注、发展和应用，其中在光电探测器领域中具有很广阔的应用前景。光电二极管是最常见的一种光电探测器，即一种能将光转化为电压或者电流的器件。
[0003]光电二极管结构非常简单，通常由一个PN结组成的半导体器件构成。当具有大于能带宽度能量的光子入射到器件的表面，在半导体材料中被吸收而形成电子
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空穴対，通过扩散，电子
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空穴对到达空间电荷区，然后被PN结的电场分开，形成与入射光功率大小相关的光生电动势，从而产生光电流。光电二极管通常具有响应快，抗噪声能力强等优点，并且能实现无偏压响应。
[0004]氧化锌掺铝(AZO)为宽禁带半导体，其禁带宽度大于3eV，且载流子浓度较大，在室温下有较大的激子束缚能，其响应波段位于紫外波段，光响应效率高。AZO薄膜的紫外光导响应机理主要是由两部分组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有光电二极管效应的AZO薄膜器件，其特征在于，以p
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Si基片为衬底，通过磁控溅射法将氧化锌掺铝(AZO)陶瓷靶材沉积在衬底上，得到AZO薄膜，然后在薄膜表面镀上金属顶电极，在衬底表面镀上金属底电极，形成顶电极/AZO薄膜/p
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Si基片/底电极的MOS器件结构。2.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的AZO薄膜器件，其特征在于，所述AZO薄膜的厚度为160～180nm。3.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的AZO薄膜器件，其特征在于，所述顶电极包括Au、Al、Ag、W、Ti、TiN或Pt中的至少一种。4.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的AZO薄膜器件，其特征在于，所述底电极为Au、Al、TiN或Pt。5.根据权利要求1
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4任一项所述的具有光电二极管效应的AZO薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤S1：用砂纸擦拭AZO陶瓷靶材表面的杂质，然后用无水乙醇将靶材清洗干净；步骤S2：用HF稀溶液将p
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Si基片表面生成的SiO2层去除，然后用无水乙醇超声清洗，待表面干燥后，将基片固定在托盘上；步骤S3：打开磁控溅射设备总电源，打开循环水，打开充气阀，装好靶材和托盘，关充气阀；开机械泵，抽真空，打开真空计，待腔体内压强稳定降低到10Pa以下；开分子泵，调控分子泵板阀，待腔体内压强降到10
‑2Pa以下；开气瓶气阀，打开气体流量计，开充气阀，向腔体内通入Ar和O2；调节板阀，保持腔体内真空度在4.5～5.5Pa；打开射频电源，打开灯丝开关进行预热；步骤S4：准备起辉，调节功率，保持电压在0...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢晓玲，郭晓斌，苏枫超，邱文海，苏峥，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：