一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，包括以下份额的原材料：芯片封装材料的原料、促进剂、稀释剂、偶联剂、触变剂和导电胶。本发明专利技术的一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，通过预碎处理后的芯片封装材料的原料颗粒度能更细，且粒度分布窄，化学组成精确且均匀，化学程度高，颗粒接近球形，使得原料表面积增大，表面活性高，分子的扩散，制成后的芯片封装材料动力学过程产生较大影响，从而提高了芯片的使用性能，通过对原料的除杂处理，能将原料中原有的杂质清除出来，若不清除，这些杂质会影响原料的加工效率，延长球磨时间，很容易使得产品产生缺陷。生缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺


[0001]本专利技术涉及芯片封装材料的原料预处理领域，特别涉及一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺。

技术介绍

[0002]芯片封装材料的原料预处理，是指在进行最后加工完善以前进行的准备过程，芯片封装指的是安装在半导体集成电路芯片用的外壳，是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁，芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接，现有的芯片功效各不相同，与之相配的对耐热和导电的要求爷各不相同，在选择芯片封装材料时，需要选择适配它的材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：包括以下份额的原材料：芯片封装材料的原料、促进剂、稀释剂、偶联剂、触变剂和导电胶，所述芯片封装材料原料的份额为55%
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64%，所述促进剂的份额为1%
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3%，所述稀释剂的份额为3%
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5%，所述偶联剂的份额为1%
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6%，所述触变剂的份额为1%
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3%，所述导电胶的份额为30%
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44%。
[0005]优选的，所述芯片封装材料原料的份额为56%，所述促进剂的份额为2%，所述稀释剂的份额为4%，所述偶联剂的份额为2%，所述触变剂的份额为2%，所述导电胶的份额为34%。
[0006]优选的，所述芯片封装材料原料的份额为60%，所述促进剂的份额为2.6%，所述稀释剂的份额为3.5%，所述偶联剂的份额为2.3%，所述触变剂的份额为1.6%，所述导电胶的份额为30%。
[0007]优选的，所述芯片封装材料原料的预碎处理：对原料进行处理，将大块的原料放入至颚式破碎机内进行破碎，使得大块原料破碎至3
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5mm，破碎完成后，将3
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5mm的原料放入至雷蒙磨内进行进一步的磨碎，使其碎裂至0.1
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3mm，放置备用。
[0008]优选的，所述芯片封装材料原料的均化处理：将碎裂至0.1
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3mm的原料放入至搅拌制粒机内进行工作，制粒机的搅拌叶轮和刮刀将原料搅拌混合，同时将泥料挤压成粒，排出制粒机，将排出的原料粒转移至陈腐仓内进行存放。
[0009]优选的，所述芯片封装材料原料的除杂处理：使用人工手选的方式将原料中比较大块的杂质或杂质比较集中的块状原料剔除出去，然后使用磁力吸除原料中的铁等磁性着色氧化物，在磁选过程中，只需将永久磁铁放置在原料中，然后定时由人工取出清洗即可，磁选完成后，将原料放置在温度为1200
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1300度的煅烧炉内进行煅烧，然后进行破碎和筛分，以此剔除其内部的石墨片岩，此时此原理可进行芯片封装材料原料的制作。
[0010]优选的，所述促进剂的处理：取出一定量的咪唑及其盐、含磷化合物、胍衍生物、有
机脲，将其放置到培养皿中，密封保存，待其全部反应结合在一起，放置备用。
[0011]优选的，所述稀释剂的处理：取出异丙醇10%，甲苯40%，丁酮50%，将其放置到试剂瓶中，将其完全密封，对其摇晃，使其完全融合在一起，放置备用。
[0012]优选的，所述偶联剂的处理：取出一定量的氨基、巯基、乙烯基、环氧基、氰基及甲基丙烯酰氧基，将其放置到试管进行搅拌，搅拌完成后，将其静置，放置备用。
[0013]优选的，所述触变剂的处理：将一定量的四氯化硅和空气燃烧，从而得到二氧化硅触变剂。
[0014]优选的，所述环氧树脂和双酚A
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环氧氯丙烷型环氧树脂的处理：所述将一定量的环氧树脂和双酚A
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环氧氯丙烷型环氧树脂和促进剂放置在一起，搅拌均匀，再使用研磨机将其研磨，将研磨后的物料加入稀释剂，将其搅拌混合，在加入偶联剂，将其搅拌混合，再加入偶联剂和触变剂进行搅拌混合，将得到的物料放置备用。
[0015]优选的，所述芯片封装材料原料的预处理：所述将混合过后的物料与芯片封装材料原料进行混合即可进行芯片封装的制作。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术中，通过预碎处理后的芯片封装材料的原料颗粒度能更细，且粒度分布窄，化学组成精确且均匀，化学程度高，颗粒接近球形，使得原料表面积增大，表面活性高，使得表面与界面性质发生了很大变化，对分子的扩散，制成后的芯片封装材料动力学过程产生较大影响，从而提高了芯片的使用性能，通过对原料的除杂处理，能将原料中原有的杂质清除出来，若不清除，这些杂质会影响原料的加工效率，延长球磨时间，很容易使得产品产生缺陷，通过将促进剂涂抹在芯片封装材料的表面，使得其可以降低固化温度、控制固化速率，通过涂抹稀释剂，使得能够改善涂抹在芯片封装材料上导电胶的可操作性，使之满足工艺要求，同时也可以增加导电胶的使用期限，通过涂抹的偶联剂，能提高芯片封装材料在固晶过程中的粘接力及固化后剪切强度，提高使用耐久性，通过涂抹的触变剂，使得芯片封装材料能保持一定的流动性又能很快固化保持一定的形态，使得其身边在储存过程中不会发生沉淀，。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]具体实施例一：本专利技术涉及一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，包括以下份额的原材料：芯片封装材料的原料、促进剂、稀释剂、偶联剂、触变剂和导电胶，芯片封装材料原料的份额为55%
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64%，促进剂的份额为1%
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3%，稀释剂的份额为3%
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5%，偶联剂的份额为1%
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6%，触变剂的份额为1%
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3%，导电胶的份额为30%
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44%。
[0019]芯片封装材料原料的份额为56%，促进剂的份额为2%，稀释剂的份额为4%，偶联剂的份额为2%，触变剂的份额为2%，导电胶的份额为34%。
[0020]包括以下制作步骤：
S1：芯片封装材料原料的预碎处理：对原料进行处理，将大块的原料放入至颚式破碎机内进行破碎，使得大块原料破碎至3
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5mm，破碎完成后，将3
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5mm的原料放入至雷蒙磨内进行进一步的磨碎，使其碎裂至0.1
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3mm，放置备用。
[0021]S2：芯片封装材料原料的均化处理：将碎裂至0.1
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3mm的原料放入至搅拌制粒机内进行工作，制粒机的搅拌叶轮和刮刀将原料搅拌混合，同时将泥料挤压成粒，排出制粒机，将排出的原料粒转移至陈腐仓内进行存放。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，其特征在于：包括以下份额的原材料：芯片封装材料的原料、促进剂、稀释剂、偶联剂、触变剂和导电胶，所述芯片封装材料原料的份额为55%
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64%，所述促进剂的份额为1%
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3%，所述稀释剂的份额为3%
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5%，所述偶联剂的份额为1%
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6%，所述触变剂的份额为1%
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3%，所述导电胶的份额为30%
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44%。2.根据权利要求1所述的一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，其特征在于：所述芯片封装材料原料的份额为56%，所述促进剂的份额为2%，所述稀释剂的份额为4%，所述偶联剂的份额为2%，所述触变剂的份额为2%，所述导电胶的份额为34%。3.根据权利要求1所述的一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，其特征在于：所述芯片封装材料原料的份额为60%，所述促进剂的份额为2.6%，所述稀释剂的份额为3.5%，所述偶联剂的份额为2.3%，所述触变剂的份额为1.6%，所述导电胶的份额为30%。4.根据权利要求1所述的一种适用于不同属性芯片封装材料的原料预处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1：芯片封装材料原料的预碎处理：所述对原料进行处理，将大块的原料放入至颚式破碎机内进行破碎，使得大块原料破碎至3
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5mm，破碎完成后，将3
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5mm的原料放入至雷蒙磨内进行进一步的磨碎，使其碎裂至0.1
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3mm，放置备用；S2：芯片封装材料原料的均化处理：所述将碎裂至0.1
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【专利技术属性】
技术研发人员：贾付云，
申请(专利权)人：苏州锐朗新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：