一种超低B值的负温热敏电阻组件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超低B值的负温热敏电阻组件，包括通过灌封胶整体封装的负温热敏电阻芯体、第一固定电阻器和第二固定电阻器，负温热敏电阻芯体与第一固定电阻并联后再与第二固定电阻串联，第一固定电阻的一端引线的外端和第二固定电阻的一端引线的外端分别置于灌封胶外。本发明专利技术通过先将第一固定电阻与负温热敏电阻芯体并联以显著降低低温段B值、再与第二固定电阻串联以显著降低高温段B值的混连方式满足了超低B值和中高电阻率的应用需求，而在高温段、常温段和低温段的B值都达到超低标准；通过将各元件整体封装在一起形成整体结构的电阻组件，减少了应用电路中的连接焊点，提高了安装可靠性，便于故障排查、分析，且易于更换。换。换。

【技术实现步骤摘要】
一种超低B值的负温热敏电阻组件及制备方法


[0001]本专利技术涉及一种负温热敏电阻组件，尤其涉及一种超低B值的负温热敏电阻组件及制备方法。

技术介绍

[0002]作为敏感元件的一个分支，热敏电阻器是电阻值随阻体温度变化呈现显著变化的热敏感电阻器，其中，负温热敏电阻器是电阻值随阻体温度升高而下降的一种热敏电阻器，广泛应用于家用电器、电子、通讯等领域，起温度测量、温度控制、温度补偿等作用。
[0003]B值是表征负温热敏电阻器的阻值随阻体温度变化的特征参数，可以通过测量负温热敏电阻器在25℃和50℃(或85℃)时的电阻值后计算得出。B值单位是开尔文温度(K)，负温热敏电阻器的每种配方和烧结温度下都有一个对应B值。
[0004]负温热敏电阻器主要以锰、钴、镍、铁、铜、铝等过渡金属氧化物为原材料，采用不同配方体系及配方比例，实现不同电阻率及B值的参数要求。通常采用MGNT、MGT、MGN、MN、MGNF、MGF、MGFAl等体系制作的负温热敏电阻器，其电阻率范围一般为(5～600k)Ω.cm，B值范围一般为(2000～5500)K。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：包括通过灌封胶整体封装的负温热敏电阻芯体、第一固定电阻器和第二固定电阻器，所述负温热敏电阻芯体的第一端分别与所述第一固定电阻的第一端和所述第二固定电阻的第一端连接，所述负温热敏电阻芯体的第二端与所述第一固定电阻的第二端连接，所述第一固定电阻的第二端引线的外端和所述第二固定电阻的第二端引线的外端分别置于所述灌封胶外。2.根据权利要求1所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述负温热敏电阻芯体的阻值范围为(7.0～24.5)kΩ，B值范围为(3900～4050)K，所述第一固定电阻器的阻值范围为A
×
(0.10～0.15)，所述第二固定电阻器的阻值范围为A
×
(0.85～0.95)，其中A为所述负温热敏电阻组件的设定阻值。3.根据权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述第一固定电阻器为RJ23型金属膜电阻器，所述第二固定电阻器为RJ24型金属膜电阻器。4.根据权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述灌封胶为环氧树脂。5.一种如权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、负温热敏电阻芯体的制备，包括以下步骤：步骤1.1、配料：采用MN二元体系掺杂Cr2O3的配方，并将各氧化物原材料经配方计算、称量后，与锆球、去离子水一同加入搅拌球磨机中，球磨时间为(90～120)min，然后再对球磨后的浆料进行干燥、过筛，制成混合粉料；步骤1.2、造粒：将混合粉料与粘合剂按质量比为5：1的比例混合后，经预压、粉碎制成待压粉料；步骤1.3、成型：称取(50
±
2)g待压粉料，采用ф40mm的成型模具，在液压机上以(120～130)
×
0.1MPa的压强、(120～150)s的保压时间，成型为厚度为(10～20)mm的电阻生坯；步骤1.4、烧结：将电阻生坯平摆于预先撒上适量氧化铝粉的承烧匣钵内并置于烧结炉中，设置烧结曲线后进行烧结，制成电阻熟坯即电阻基体；其中：烧结曲线共11段，包含从室温梯度升至5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张燕，向艳，曾皓，
申请(专利权)人：成都宏明电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：