磁控管制造技术

本发明专利技术公开了一种磁控管，磁控管的顶部陶瓷呈管状，该顶部陶瓷内壁挖出了抗流槽，抗流槽是正方形网格状的凹槽，该抗流槽的网格的间距为６．１２毫米，在该抗流槽中加入过滤网，过滤网是正方形网格，过滤网网格的间距为６．１２毫米，过滤网嵌入抗流槽中，该过滤网的网丝宽度为０．４至０．７毫米，将该抗流槽的凹槽通过电镀方式填充金属物质达到滤波效果，在该顶部陶瓷的内外两壁分别挖出抗流槽，本发明专利技术磁控管在顶部陶瓷处加入扼流装置来控制五次谐波的输出，经过网状结构的屏蔽后，缓解高次谐波射出的压力，尤其降低五次谐波在电磁干扰监测中的分贝值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种》兹控管，尤其提供在顶部陶瓷处加入扼流装置来控制五' 次谐波的输出的》兹控管。
技术介绍
已有技术的磁控管用于微波加热过程中，如图1所示，该磁控管通常包括支架、阳极组件、阴极组件、微^Jl射组件、散热片21、上磁铁22、下磁 铁23和屏蔽盒24,支架下部结合着向下开口的屏蔽盒24,屏蔽盒24内设置 滤波线圈25,滤波线圈25连接着外部的高压陶瓷26。磁控管与支架、阳极组件、阴极组件、微波发射组件等均为同轴对称， 阳极组件和阴极组件合称真空管。阳极组件包括阳极圓筒11、上封盖12、下 封盖13、叶片14、内带状圆环15、外带状圆环16和微波发射天线17，而阴. 极组件包括下部金属管31、中心导线32、边导线33、上防护板34、下防护 板35、连接片36、 37、底部陶瓷38和灯丝39。其连接关系是支架由上支 架41和下支架42结合构成，支架的内表面与阳极圆筒11的外表面之间形成 散热片21，上支架41下固定着上磁铁22，而下支架42上固定着下磁铁23, 上磁铁22和下磁铁23同时分别设置在阳极圆筒11的上下部开口部，且一同 形成磁场。上磁铁22的上部设置着上部金属管1,而下磁铁23的下部设置着 下部金属管31,上部金属管1与阳极圆筒11的上封盖12相连，下部金属管 31与阳极圆筒11的下封盖13相连，上部金属管1的上侧焊接着顶部陶瓷2， 下部金属管31的下部焊接着底部陶瓷38,顶部陶瓷2向外输出高频振荡，而 底部陶瓷38用于隔热。 '阳级组件的中心位置设置着灯丝39,灯丝39为一螺旋形弹簧，构成磁控 管的阴极。上防护板、下防护板34、 35均为圓环形，分别支撑着灯丝39的 上、下两端，上防护板34固定在中心导线32上，而下防护板35固定在边导线33的顶端，中心导线32穿过灯丝39和下防护板35后。弯曲并穿入底部 陶资38上一个连接片36上的孔中，边导线33则垂直穿入底部陶瓷38上另 一个连接片37上的孔中，连接片36、 37为两个半圓形密封金属片，弦部相 对设置并保持一定的距离。底部陶瓷38是实芯的，底部陶瓷38与下部金属 管31下端的开放端边缘气密连接，并具有一对通孔，这对通孔沿底部陶瓷38 的轴向贯通陶瓷38, —对导电金属材料的引导线的一端插入了这对通孔并被 焊接固定，另一端连接到微波电路。电子是由灯丝39达到叶片14，因此电流 是>^人叶片14流向灯丝39。顶部陶瓷2的上部焊接有排气管3,从排气管3将阳极圆筒11抽成内部 真空状态，然后将排气管3的上端切断封闭。为了保护排气管的封合部，顶 部陶瓷2上还设置有天线罩4。微波发射天线17的下端部与叶片14结合，而 上端部向上延伸，进入并固定在顶部陶瓷2的内部上面。顶部陶瓷2、排气管 3、天线罩4和微波发射天线17统称微波发射组件。如图2所示，顶部陶瓷2为一管状陶瓷，内壁5光滑，便于微;嫂射天 线17通过。微波发射组件在输出微波的同时，也常常会夹带着一些杂波，而这些杂 波的输出，严重影响了微波产品的质量，而微波波长的检测，是各国商检主 要检测手段之一。已有技术存在的技术问题是磁控管工作过程中，2. 45千兆赫的微波是由顶部陶资处发出的，有害的 高次谐波也由此发出。已有技术的顶部陶瓷只是简单地将微波导出，虽然也 对阳极组件、微波发射组件等也进行过多项改进，也确实取得了一些进展， 对从二次到七次谐波都能起到 一定的消除效果。但我国微波产品抗电磁干扰， 尤其是抗五次谐波的水平，依旧不能达到欧盟及许多国家的技术标准，影响 许多电子产品的出口。这一问题成为长期以来亟待解决但始终未能获得成功 的技术难题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种在顶部陶瓷处加入扼流装置来 控制五次谐波的输出的磁控管。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是 做为本专利技术一种磁控管，包括支架、阳极组件、阴极组件、微波发射组件、散热片、上磁铁、下磁铁和屏蔽盒，微波发射组件的顶部陶瓷为管状， 该顶部陶瓷内壁挖出了抗流槽，抗流槽是正方形网格状的凹槽。而且，该抗流槽的网格的间距为6. 12毫米。而且，在该抗流槽中加入过滤网，过滤网是正方形网格，过滤网网格的 间距为6. 12毫米，过滤网嵌入抗流槽中。而且，该过滤网的网丝宽度为0. 4至0. 7毫米。而且，将该抗流槽的凹槽通过电镀方式填充金属物质达到滤波效果。而且，在该顶部陶资的内外两壁分别挖出抗流槽。本专利技术的有益效果是本专利技术^磁控管在顶部陶瓷处加入扼流装置来控制五次谐波的输出，经过 该网状结构的屏蔽后，可以缓解高次谐波射出的压力，尤其是降低五次谐波 在电磁干扰监测中的分贝值。附图说明 ，图1为已有技术磁控管整体结构剖视图2为已有技术》兹控管中顶部陶瓷立体图图3为本专利技术》兹控管中顶部陶瓷立体全图图4为本专利技术箱t控管中顶部陶乾立体剖面图图5为本专利技术》兹控管中顶部陶瓷的抗流槽网状结构图图中1:上部金属管2:顶部陶资3:排气管4:天线罩5:内壁6:抗流槽7:过滤网8:网丝11阳极圆筒12:上封盖13下封盖14:叶片15内带状圆环16:外带状圆环17微波发射天线21:散热片22上磁铁23:下磁铁24屏蔽盒25:滤波线圈26高压陶瓷具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术磁控管作进一步详细说明 本专利技术磁控管同已有技术一样，也是包括支架、阳极组件、阴极组件、 微波发射组件、散热片21、上磁铁22、下磁铁23和屏蔽盒24。其连接关系 是支架的内表面与阳极组件的外表面之间，形成散热片21,支架包括上支 架和下支架42,上支架41下固定着上石兹铁22，而下支架42上固定着下 磁铁23,上磁铁22和下磁铁23都为圆环状， 一同形成》兹场，并且上》兹铁22 . 和下磁铁23分别设置在阳极组件的上、下部开口部。上磁铁22的上部设置 着上部金属管1，而下磁铁23的下部设置着下部金属管31，上部金属管1与 阳极组件的上封盖12相连，下部金属管31与阳极组件的下封盖13相连，上 部金属管1的上侧焊接着顶部陶瓷2,下部金属管31的下部焊接着底部陶瓷 38，顶部陶瓷2向外输出高频振荡，而底部陶瓷38用于隔热，支架下部结合 着向下开口的屏蔽盒24,屏蔽盒24内设置滤波线圈25，滤波线圏25连接着 外部的高压陶乾26。磁控管同支架、阳极组件、阴极组件、微波发射组件等 均为同轴对称。阳极组件包括阳极圆筒11、上封盖12、下封盖13、叶片14、内带状圓 环15和外带状圓环16,而阴极组件包括下部金属管31、中心导线32、边导 线33、上防护板34、下防护板35、连接片36、 37、底部陶f: 38和灯丝39。 内带状圓环15和外带状圆环16交替进行接触，使阳极圆筒11和叶片14形 成阳极。阳级组件的中心位置设置着灯丝39，灯丝39为一螺旋形弹簧，构成 磁控管的阴极。上防护板、下防护板34、 35均为圓环形，分别支撑着灯丝39的上、下 两端，上防护板34固定在中心导线32上，而下防护板35固定在边导线33 的顶端，中心导线32穿过灯丝39和下防护板35后。弯曲并穿入底部陶瓷38 上一个连接片36上的孔中，边导线33则垂直穿入底部陶瓷38上另一个连接 片37上的孔中，连接片36、 37为两个半圆形密封金属片，弦部相对设置并. 保持一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管，包括支架、阳极组件、阴极组件、微波发射组件、散热片、上磁铁、下磁铁和屏蔽盒，微波发射组件的顶部陶瓷为管状，其特征是：所述顶部陶瓷（２）内壁（５）挖出了抗流槽（６），抗流槽（６）是正方形网格状的凹槽。

【技术特征摘要】
1、一种磁控管，包括支架、阳极组件、阴极组件、微波发射组件、散热片、上磁铁、下磁铁和屏蔽盒，微波发射组件的顶部陶瓷为管状，其特征是所述顶部陶瓷(2)内壁(5)挖出了抗流槽(6)，抗流槽(6)是正方形网格状的凹槽。2、 根据权利要求1所述的磁控管，其特征是所述抗流槽(6)的网格的 间距为6. 12毫米。3、 根据权利要求2所述的f兹控管，其特征是在所述抗流槽(6)中加入 过滤网(7)，过滤网(7)是...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永发，
申请(专利权)人：乐金电子天津电器有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]