电子器件以及半导体器件制造技术

本公开涉及电子器件以及半导体器件。一种电子器件，包括：肖特基二极管，其包括：具有第一导电性类型的SiC的实心主体；在实心主体的第一侧处的注入区域，注入区域包括不同于第一导电性类型的第二导电性类型的掺杂剂种类物，注入区域在实心主体中从第一侧开始在深度上延伸，并且注入区域具有与实心主体的第一侧共面的顶表面；以及欧姆接触区域，欧姆接触区域包括具有石墨烯、石墨、或石墨烯和石墨的组合的一个或多个富碳层，并且欧姆接触区域在注入区域中延伸。本公开的实施例特别有利于高频应用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
电子器件以及半导体器件


[0001]本公开涉及电子器件以及半导体器件。特别地，本公开关于一种用于掺杂的激活、以及同时地用于在SiC电子器件中的欧姆接触形成的方法。

技术介绍

[0002]已知的是，半导体材料呈现宽带隙，特别是高于1.1eV的带隙能量值Eg、低接通状态电阻(R
ON
)、高热导率值、高工作频率以及电荷载流子的高饱和率。针对生产电子组件，诸如二极管或晶体管，特别是针对功率应用，半导体材料是理想的。具有这些特性并且被设计用于电子组件的制造的材料是碳化硅(SiC)。特别地，关于先前列出的性质，在其不同多型体中的碳化硅(例如，3C
‑
SiC、4H
‑
SiC、6H
‑
SiC)比硅更优选。
[0003]与在硅衬底上提供的类似器件相比，在碳化硅衬底上提供的电子器件呈现许多优势，例如低传导输出电阻、低泄漏电流、高工作温度以及高工作频率。特别地，SiC肖特基二极管已示出更高的开关性能，这使得SiC电子器件特别有利于高频应用。当前的应用在电性质上以及也在器件的长期可靠性上加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：肖特基二极管，其包括：具有第一导电性类型的SiC的实心主体；在所述实心主体的第一侧处的注入区域，所述注入区域包括不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型的掺杂剂种类物，所述注入区域在所述实心主体中从所述第一侧开始在深度上延伸，并且所述注入区域具有与所述实心主体的所述第一侧共面的顶表面；以及欧姆接触区域，所述欧姆接触区域包括具有石墨烯、石墨、或石墨烯和石墨的组合的一个或多个富碳层，并且所述欧姆接触区域在所述注入区域中延伸。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域包括所述一个或多个富碳层，所述一个或多个富碳层从所述实心主体的所述第一侧开始仅在所述注入区域内延伸。3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域具有与所述注入区域的所述顶表面一致的自己的顶表面。4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域具有在1nm与20nm的范围中的厚度。5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述实心主体的材料是来自以下项中的一项：4H
‑
SiC、6H
‑
SiC、3C
‑
SiC、以及15R
‑
SiC。6.一种半导体器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底；在第一导电类型的所述碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：