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本公开涉及电子器件以及半导体器件。一种电子器件，包括：肖特基二极管，其包括：具有第一导电性类型的SiC的实心主体；在实心主体的第一侧处的注入区域，注入区域包括不同于第一导电性类型的第二导电性类型的掺杂剂种类物，注入区域在实心主体中从第一侧开...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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