一种整流器件及集成芯片制造技术

本申请提供一种整流器件及集成芯片，整流器件包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好，整流特性良好，可用于芯片集成制备技术。可用于芯片集成制备技术。可用于芯片集成制备技术。

【技术实现步骤摘要】
一种整流器件及集成芯片


[0001]本申请涉及电子器件领域，具体涉及一种整流器件及集成芯片。

技术介绍

[0002]碳化硅由于具有优异的物理性能，受到了半导体领域的关注，基于碳化硅的器件也在不断的出现，比如SBD、JBS和MOSFET等，这些器件的研发和生产，将部分替代硅基器件，在未来具有很大的市场。异质结是构建很多器件的基本结构，其中包括肖特基结、pn结、nn结和pp结等。其中，整流器件，就是基于这些异质结构的，整流器件中，常见的是利用肖特基结和pn结。整流器件在工业设备和电子器件中应用的也相当广泛。作为新兴的半导体材料，碳化硅在构建器件方面的潜力还有很大的开发空间，以及潜在的市场前景。
[0003]目前碳化硅单晶可以实现p型和n型掺杂，n型衬底已经商业化。氧化镓Ga2O3材料，在不掺杂的情况下，呈现自然的n型导电特性。而且，由于氧化镓具有很好的化学稳定性和高的击穿场强，在功率器件中也具有一定的应用前景。
[0004]
技术介绍
部分的内容仅仅是公开人所知晓的技术，并不代表本领域的现有技术。

技术实现思路
<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流器件，其特征在于，包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底的直径为2至6英寸。3.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底包括碳化硅单晶材料。4.根据权利要求3所述的整流器件，其特征在于，所述碳化硅单晶材料包括：001面取向的n型4H
‑
碳化硅，斜切4
°
或8
°
。5.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述氧化镓薄膜厚度为100纳米至500纳米。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李培刚，
申请(专利权)人：李培刚，
类型：新型
国别省市：