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本申请提供一种整流器件及集成芯片，整流器件包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好，整流特性良好，可用于芯片集成制备...
该专利属于李培刚所有，仅供学习研究参考，未经过李培刚授权不得商用。

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