一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法


[0001]本专利技术属于功率器件制作工艺
，具体涉及一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法。

技术介绍

[0002]碳化硅SiC是一种二元半导体化合物，是元素周期表第IV主族元素中唯一的固态化合物，也是Si和C的唯一稳定化合物，其物化性质有许多独特之处。在SiC材料结晶时，每一个碳原子都被4个硅原子按照正四面体结构紧密包围，同样每一个硅原子也都被4个碳原子以相同方式紧密包围，彼此相互嵌套而构成完整晶体。最近邻原子距离为0.189nm，所以SiC原子层面的粗糙度大约为0.2nm左右。碳化硅晶体在结晶构架过程中都符合密堆积原则，SiC材料硬度高，仅次于金刚石。而且SiC材料具有很强的离子共价键，所以其结构非常稳定。由于特殊的结构，SiC材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、耐高温、抗辐照、热导率高、饱和电子漂移速度快等诸多优点，所以具备制作功率器件的天然优势。
[0003]SiC肖特基二极管具有耐高温、热导率高等优点，可以满足在一般条件下的应用需求，但在环境复杂、空间等恶劣环境中使用时，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高可靠SiC肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在位于N+衬底(4)的N
‑
漂移层(1)的表面进行氧化层(2)的淀积；通过光刻刻蚀形成有源区(7)；在有源区(7)内进行P型离子注入，形成P型掺杂区(3)，然后高温退火；在SiC晶圆背面进行欧姆接触金属的蒸发或溅射，通过退火完成欧姆接触电极(5)；腐蚀氧化层(2)，对边缘两侧的氧化层(2)进行腐蚀保留，在SiC晶圆正面进行肖特基接触金属的蒸发或溅射，通过退火形成肖特基接触电极(6)；在肖特基接触电极(6)暴露在空间环境内的肖特基接触区进行第一阳极金属(8)的蒸发或溅射；在第一阳极金属(8)的表面进行第一钝化层(9)的淀积，并在第一钝化层(9)中光刻刻蚀孔洞(13)；在第一钝化层(9)的表面进行第二阳极金属(10)的蒸发或溅射；在第二阳极金属(10)的表面进行第二钝化层(11)淀积，并在第二钝化层(11)中光刻刻蚀孔洞(13)；在第二钝化层(11)的表面进行第三阳极金属(12)的蒸发或溅射，高可靠SiC肖特基二极管制作完成。2.根据权利要求1所述的一种高可靠SiC肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述N
‑
漂移层(1)的掺杂浓度为1
×
10
14
Ω
·
cm2～1
×
10
16
Ω
·
cm2，所述N
‑
漂移层(1)的厚度为4μm～20μm，所述N+衬底(4)的掺杂浓度为1
×
10
18
Ω
·
cm2～1
×
10
19
Ω
·
cm2。3.根据权利要求1所述的一种高可靠SiC肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述氧化层(2)的淀积厚度为1500nm～3000nm。4.根据权利要求1所述的一种高可...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯斌，何静博，郭胤，李照，鲁红玲，胡长青，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：