存储器器件以及形成存储器器件的方法技术

本公开涉及一种存储器器件以及形成存储器器件的方法。可以提供一种存储器器件，其包括：第一、第二和第三电极、第一和第二掩模元件、以及切换层。第一掩模元件可被布置在第一电极的部分之上并且与第一电极横向偏移。第二电极可被布置在第一掩模元件之上。第二掩模元件可被布置在第二电极之上。第三电极可被布置在第二掩模元件的部分之上并且与第二掩模元件横向偏移。切换层可以沿着第一掩模元件的第一侧表面、第二电极的第一侧表面和第二掩模元件的第一侧表面被布置在第一电极与第三电极之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件以及形成存储器器件的方法


[0001]本公开总体上涉以及存储器器件以及形成存储器器件的方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器基元经常用在诸如智能电话和平板电脑的消费电子产品中。一种类型的非易失性存储器基元是通常使用被夹在两个电极之间的切换层的电阻存储器基元。切换层通常是绝缘的。然而，在电极之间施加设定电压差时，导电丝可形成于切换层内并且切换层由此经由导电丝而变得导电。可通过向电极施加复位电压差以断开导电丝来再次使切换层绝缘。典型的电阻存储器基元可以基于切换层的电阻来在状态之间可切换。当切换层是绝缘的时，切换层具有高电阻，以及电阻存储器基元可以被称为处于高电阻状态(HRS)。在此状态下的切换层的电阻可被称为基元的HRS电阻。当切换层导通时，切换层具有低电阻，以及电阻存储器基元可以被称为处于低电阻状态(LRS)。在此状态下的切换层的电阻可被称为基元的LRS电阻。
[0003]若干电阻存储器基元仅在两个状态之间可切换。尽管可组合多个存储器基元以提供在两个以上的状态之间可切换的存储器器件，但是此类当前的存储器器件中的许多是较大的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：第一电极；第一掩模元件，其被布置在所述第一电极的部分之上并且与所述第一电极横向偏移；第二电极，其被布置在所述第一掩模元件之上；第二掩模元件，其被布置在所述第二电极之上；第三电极，其被布置在所述第二掩模元件的部分之上并且与所述第二掩模元件横向偏移；以及切换层，其沿着所述第一掩模元件的第一侧表面、所述第二电极的第一侧表面和所述第二掩模元件的第一侧表面被布置在所述第一电极与所述第三电极之间。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述切换层包括：位于所述第一电极与所述第二电极之间的第一部分；以及位于所述第二电极与所述第三电极之间的第二部分；其中，所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料。3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第二电极邻接所述第一掩模元件，以及所述第二掩模元件邻接所述第二电极。4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第二电极包括惰性电极。5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一电极和所述第三电极包括不同的材料。6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一电极和所述第三电极包括相同的材料。7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第二掩模元件的厚度大于所述第一掩模元件的厚度。8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一掩模元件的厚度大于所述第二掩模元件的厚度。9.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一掩模元件的厚度近似等于所述第二掩模元件的厚度。10.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器器件包括包含所述第一电极和所述第二电极的第一存储器基元、以及包含所述第三电极和所述第二电极的第二存储器基元。11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述第一存储器基元是基于氧化物的存储器基元，以及所述第二存储器基元是导电桥存储器基元。12.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述第一存储器基元是导电桥存储器基元，以及所述第二存储器基元是基于氧化物的存储器基元。13.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述第一存储器基元和所述第二存储器基元是相同类型的存储器基元，该相同类型的存储器基元包括导...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎佳俊，卓荣发，陈学深，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：