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本公开涉及一种存储器器件以及形成存储器器件的方法。可以提供一种存储器器件，其包括：第一、第二和第三电极、第一和第二掩模元件、以及切换层。第一掩模元件可被布置在第一电极的部分之上并且与第一电极横向偏移。第二电极可被布置在第一掩模元件之上。第二...
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