用于制造衬底的方法技术

一种方法，其包括：在介电绝缘层的第一侧上形成第一导电层，在第一导电层的背向介电绝缘层的一侧上形成结构化的掩模层，在第一导电层中形成至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽延伸穿过整个第一导电层直至介电绝缘层，形成至少覆盖至少一个沟槽的底部和侧壁的涂层，在形成该涂层之后去除掩膜层。在形成该涂层之后去除掩膜层。在形成该涂层之后去除掩膜层。

【技术实现步骤摘要】
用于制造衬底的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制造衬底的方法、尤其一种用于制造功率半导体模块的衬底的方法。

技术介绍

[0002]功率半导体模块大多具有一个或多个半导体衬底，该半导体衬底可以布置在底板上或冷却体上。具有多个可控半导体元件(例如IGBT)的半导体装置布置在所述衬底中的至少一个上。半导体衬底通常具有电绝缘的衬底层(例如陶瓷层)、第一导电层(例如金属层)以及第二导电层，第一导电层布置在该衬底层的第一侧上，第二导电层布置在衬底层的与第一侧相对置的第二侧上。可控半导体元件例如布置在第一导电层上。第二导电层大多与底板或冷却体连接，即，该第二导电层布置在底板/冷却体与绝缘衬底层之间。
[0003]至少第一导电层通常为结构化层。即，该层具有多个彼此间隔开的区段，这些区段通过第一导电层中的连续的凹槽彼此分离。第一导电层的不同区段之间的连接通常仅通过电连接元件(例如接合线)建立。在此，第一导电层的不同区段可以与不同电位连接。在此，相邻区段的不同电位之间的差可以达到几千伏(kV)。因此，在功率半导体模块的运行期间，在区段之间的凹槽中出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：在介电绝缘层(11)的第一侧上形成第一导电层(111)；在所述第一导电层(111)的背向所述介电绝缘层(11)的一侧上形成结构化的掩膜层(121)；在所述第一导电层(111)中形成至少一个沟槽(124)，其中，所述至少一个沟槽(124)延伸穿过整个第一导电层直至所述介电绝缘层(11)；形成涂层(31)，所述涂层至少覆盖所述至少一个沟槽(124)的底部和侧壁；在形成所述涂层(31)之后去除所述掩膜层(121)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述涂层(31)包括：借助喷涂法施加材料(30)，或借助浸涂法施加材料(30)，或借助粉末涂覆法施加材料(30)，或借助热喷射法施加材料(30)，或借助等离子体涂覆法施加材料(30)，或借助点胶法施加材料(30)。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述涂层(31)还包括：将所施加的材料(30)固化。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述涂层(31)具有聚合物或聚酰亚胺。5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述涂层(31)包括：将所述至少一个沟槽(124)完全填充。6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，如此形成所述第一导电层(111)，使得所述第一导电层不覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：