利用薄化和切分的半导体器件制造制造技术

公开了利用薄化和切分的半导体器件制造。描述了制造半导体器件的方法。提供半导体衬底。半导体衬底包括半导体衬底层和半导体器件层。方法包括：将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及通过使用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域。移除半导体衬底层和切分区域。移除半导体衬底层和切分区域。

【技术实现步骤摘要】
利用薄化和切分的半导体器件制造


[0001]本公开一般涉及制造半导体器件的领域，并且特别是涉及晶片薄化和晶片切分的领域。

技术介绍

[0002]半导体器件是通过将半导体晶片切分成多个半导体芯片(在本领域中还被称为管芯)来制造的。可以通过各种技术(例如锯切、激光切割或蚀刻)来执行切分。已经知道这些技术在处理时间、边缘损坏风险、半导体材料的损失等方面示出不同的特性。
[0003]半导体器件制造的另一方面目的在于提供薄的半导体芯片。考虑到半导体晶片薄化、半导体晶片处置和半导体晶片切分，薄半导体芯片的生产是有挑战性的。进一步地，包含薄半导体芯片的产品的功能和可靠性可能敏感地取决于半导体芯片的总厚度变化(TTV)。因此，在晶片薄化期间的高均匀性应当是可实现的。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一方面，描述了一种制造半导体器件的方法。方法包括提供半导体衬底。半导体衬底包括半导体衬底层和半导体器件层。方法进一步包括：将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及通过使用蚀刻来移除半导体衬底层和切分区域。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括：半导体衬底层，以及半导体器件层；将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及通过使用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中进行转变包括：将掺杂剂沉积到切分区域中。3.根据权利要求2所述的方法，其中将掺杂剂沉积到切分区域中包括：通过掺杂剂注入将掺杂剂沉积到切分区域中。4.根据权利要求2所述的方法，其中将掺杂剂沉积到切分区域中包括：通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中。5.根据权利要求4所述的方法，其中通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中包括：在每个切分区域中生成一个或多个沟槽；利用高掺杂的填充物材料填充切分区域的所述一个或多个沟槽；以及允许高掺杂填充物材料中的掺杂剂扩散到切分区域中。6.根据权利要求4所述的方法，其中通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中包括：在每个切分区域的顶部形成高掺杂的掺杂剂供体结构；以及允许高掺杂的掺杂剂供体结构中的掺杂剂扩散到切分区域中。7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中半导体衬底层是高掺杂层。8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中蚀刻是掺杂剂选择性化学蚀刻。9.根据前述权利要求之一所述的方法，其中半导体衬底进一步包括布置在半导体衬底层和半导体器件层之间的半导体蚀刻停止层。10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：使半导体蚀刻停止层的区域转变以形成可以通过蚀刻移除的切分区域的一部分。11.根据权利要求9或10所述的方法，其中半导体蚀刻停止层是低掺杂的半导体层。12.根据权利要求9至11之一所述的方法，其中半导体衬底进一步包括布置在半导体蚀刻停止层和半导体器件层之间的半导体接触层。13.根据前述权利要求之一所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：