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一种方法，其包括：在介电绝缘层的第一侧上形成第一导电层，在第一导电层的背向介电绝缘层的一侧上形成结构化的掩模层，在第一导电层中形成至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽延伸穿过整个第一导电层直至介电绝缘层，形成至少覆盖至少一个沟槽的底部和侧壁...
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