在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案技术方案

本公开的实施例涉及在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案。存储器系统中的处理装置启动存储器装置上的编程操作，所述编程操作包括接种阶段。所述处理装置进一步使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块中的存储器单元串，且使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线。所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。包括与所述编程操作相关联的所选字线。包括与所述编程操作相关联的所选字线。

【技术实现步骤摘要】
在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说涉及在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案。

技术实现思路

[0002]描述了一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下者的操作：在所述存储器阵列上启动编程操作，所述编程操作包括接种阶段；使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串；以及使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。
[0003]描述了一种方法。所述方法包括：在存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括接种阶段；使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块中的存储器单元串；以及使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一者耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下者的操作：在所述存储器阵列上启动编程操作，所述编程操作包括接种阶段；使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串；以及使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述所选字线耦合到所述第一多个存储器单元的第一存储器单元，且其中所述处理装置用以执行包括以下者的另外操作：使所述正电压被施加到一或多个字线，所述一或多个字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的漏极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中使所述正电压被施加到所述数据块的所述第一多个字线包括：使第一正电压被施加到所述所选字线；以及使第二正电压被施加到邻近于所述所选字线的一或多个第一字线，其中邻近于所述所选字线的所述一或多个第一字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者，其中所述第二正电压大于所述第一正电压。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中使所述正电压被施加到所述数据块的所述第一多个字线进一步包括：使第三正电压被施加到邻近于所述一或多个第一字线的一或多个第二字线，其中邻近于所述一或多个第一字线的所述一或多个第二字线耦合到与所述一或多个第一字线耦合的所述存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者，其中所述第三正电压大于所述第一正电压且小于所述第二正电压。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理装置用以执行包括以下者的另外操作：使负电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线中的每一者耦合到所述串中的第二多个存储器单元的对应存储器单元，其中所述第二多个存储器单元邻近于所述存储器单元串的源极侧上的所述第一多个存储器单元。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理装置用以执行包括以下者的另外操作：使接地电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线中的每一者耦合到所述串中的第二多个存储器单元的对应存储器单元，其中所述第二多个存储器单元邻近于所述存储器单元串的源极侧上的所述第一多个存储器单元。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程操作包括多个接种阶段、多个传递电压斜升阶段以及多个编程电压斜升阶段，并且其中所述正电压仅在所述多个接种阶段的子集期间被施加到所述第一多个字线，所述子集发生在阈值数目个所述多个编程电压斜升
阶段发生之后。8.一种方法，其包括：在存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括接种阶段；使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块中的存储器单元串；以及使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述所选字线耦合到所述第一多个存储器单元的第一存储器单元，且所述方法进一步包括：使所述正电压被施加到一或多个字线，所述一或多个字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的漏极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者。10.根据权利要求9所述的方法，其中使所述正电压被施加到所述数据块的所述第一多个字线包括：使第一正电压被施加到所述所选字线；以及使第二正电压被施加到邻近于所述所选字线的一或多个第一字线，其中邻近于所述所选字线的所述一或多个第一字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者，其中所述第二正电压大于所述第一正电压。11.根据权利要求10所述的方法，其中使所述正...

【专利技术属性】
技术研发人员：HY，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：