具有有源区域凹凸部的集成电路制造技术

本公开涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。一种IC结构包括第一和第二晶体管、隔离区域和第一栅极延伸部。第一晶体管包括第一栅极以及分别位于第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域。第二晶体管包括第二栅极以及分别位于第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域。隔离区域横向位于第一和第二晶体管之间。第一个第一源极/漏极区域具有从隔离区域的第一边界突出的第一源极/漏极延伸部，并且第一个第二源极/漏极区域具有从隔离区域的第二边界突出的第二源极/漏极延伸部。第一栅极延伸部从第一栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。

【技术实现步骤摘要】
具有有源区域凹凸部的集成电路


[0001]本公开总体涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。

技术介绍

[0002]绝缘体上半导体(SOI)技术已用于半导体器件的制造和生产。SOI技术处理在覆盖绝缘层的的相对薄的单晶半导体层中形成晶体管。换句话说，有源器件被形成在绝缘体层上的薄半导体中，而不是在器件的体半导体中。SOI技术使某些性能优势成为可能，例如减少在体半导体中形成的集成电路中存在的寄生元件，这在高性能和高密度集成电路是有用的。SOI技术进一步允许将标准的先进技术映射到SOI技术而无需进行重大修改，并且由于增强的对掩埋氧化物层的隔离，其优势在于更高的速度，更低的功耗和更好的抗辐射能力。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种集成电路(IC)结构，包括：第一晶体管，包括沿第一方向延伸的第一栅极以及分别位于所述第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域；第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸的第二栅极以及分别位于所述第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域；隔离区域，横向位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，其中，第一个所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路IC结构，包括：第一晶体管，包括沿第一方向延伸的第一栅极以及分别位于所述第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域；第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸的第二栅极以及分别位于所述第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域；隔离区域，横向位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，其中，第一个所述第一源极/漏极区域具有第一源极/漏极延伸部，该第一源极/漏极延伸部沿基本上垂直于所述第一方向并远离所述第一栅极的第二方向从所述隔离区域的第一边界突出，并且第一个所述第二源极/漏极区域具有第二源极/漏极延伸部，该第二源极/漏极延伸部沿基本上垂直于所述第一方向并远离所述第二栅极的第三方向从所述隔离区域的第二边界突出；以及第一栅极延伸部，沿所述第二方向从所述第一栅极延伸到与所述隔离区域交叠的位置。2.根据权利要求1所述的IC结构，还包括：第二栅极延伸部，沿所述第三方向从所述第二栅极延伸到与所述隔离区域交叠的位置。3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述第二栅极延伸部与所述第一栅极延伸部分开的距离大于将所述第一源极/漏极延伸部与所述第二源极/漏极延伸部分开的距离。4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一栅极延伸部延伸超过所述隔离区域的第一边界达第一非零距离，并且所述第一源极/漏极延伸部从所述隔离区域的第一边界突出达第二非零距离，所述第二非零距离大于所述第一非零距离。5.根据权利要求1所述的IC结构，还包括：第二栅极延伸部，所述第二栅极延伸部从所述第二栅极延伸超过所述隔离区域的第二边界达第一非零距离，并且所述第二源极/漏极延伸部从所述隔离区域的第二边界突出达第二非零距离，所述第二非零距离大于所述第一非零距离。6.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一源极/漏极延伸部与所述第二源极/漏极延伸部合并。7.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一晶体管还包括体接触区域，所述体接触区域具有与所述第一源极/漏极区域的导电类型相反的导电类型，并且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢田雨，王新泳，潘磊，陈国基，
申请(专利权)人：台积电南京有限公司台积电中国有限公司，
类型：发明
国别省市：