一种flash存储器的制备方法及flash存储器技术

本发明专利技术公开了提供一种flash存储器的制备方法，包含：提供基底，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上依次沉积层间绝缘膜和金属间绝缘膜；去除层间绝缘膜和金属间绝缘膜内的水汽；以及沉积紫外线氮化硅薄膜以覆盖层间绝缘膜和金属间绝缘膜。该方法在紫外线氮化硅薄膜沉积步骤之前添加融合过程，改善了flash存储器的循环性能。本发明专利技术同时提供一种使用该方法制备的flash存储器。法制备的flash存储器。法制备的flash存储器。

【技术实现步骤摘要】
一种flash存储器的制备方法及flash存储器


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种flash存储器的制备方法及使用该方法制备的flash存储器。

技术介绍

[0002]flash存储器又称快闪存储器或者闪存，是一种常用的非易失存储器，其包含控制栅极(CG)和浮动栅极(FG)，并基于隧穿效应使电流穿过浮动栅极与硅基层之间的隧穿氧化层对浮动栅极进行充电(写数据)和放电(擦数据)，具有集成度高、易于擦除和重写等优点。然而，现有非挥发性的flash存储器的循环(cycling)性能并不理想，通常在循环使用10K左右次后，施加于控制栅极上的擦除电压显著衰减，即flash存储器开始失效。随着大数据的普遍应用，现有flash存储器的循环性能已无法满足人们的需求。
[0003]因此，如何改善非挥发性的flash存储器的循环性能成为半导体领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决现有的技术问题，本申请提供一种flash存储器的制备方法，其在紫外线氮化硅薄膜沉积步骤之前添加融合过程，改善了flash存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种flash存储器的制备方法，其特征在于，包含：提供基底，在所述基底上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上依次沉积层间绝缘膜和金属间绝缘膜；去除所述层间绝缘膜和所述金属间绝缘膜内的水汽；以及沉积紫外线氮化硅薄膜以覆盖所述层间绝缘膜和所述金属间绝缘膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以加热的方式去除所述层间绝缘膜和所述金属间绝缘膜内的水汽。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为400-500℃，所述加热的时间为20-30min。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氢气环境下执行所述加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凡，李虎子，
申请(专利权)人：和舰芯片制造苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：