温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了提供一种flash存储器的制备方法，包含：提供基底，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上依次沉积层间绝缘膜和金属间绝缘膜；去除层间绝缘膜和金属间绝缘膜内的水汽；以及沉积紫外线氮化硅薄膜以覆盖层间绝缘膜和金属间绝缘膜。该方法在紫...
该专利属于和舰芯片制造（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰芯片制造（苏州）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。