一种低银铜基电接触材料制造技术

一种低银铜基电接触材料，其特点是还包括有稀土元素铈，其化学成分（重量％）为：银１０～２０％，导电陶瓷１～１５％，氧化镓１～１０％，氧化铟１～１０％，氧化镍１～５％，铜余量。本发明专利技术的电阻率低、导热和导电性好、触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强，具有优异的抗电烧蚀和抗熔焊能力，并且大幅度降低了银的用量，可节约大量贵重金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电接触材料，特别涉及一种低银铜基电接触材料，属于 电工材料

技术介绍
电触头是中低压电器的关键元件之一，目前，电接触元件制造材料以银 基电接触材料为主，主要有银一金属氧化物、银基假合金、银基合金三大类。 银具有高导电性、高导热性和良好的机械加工性，在大气条件下不氧化，能 保持低而稳定的接触电阻等性质。但是银是昂贵的贵金属，资源紧缺，而在银基电接触材料中含银量高达60—95%,是电器工业中耗银量最大的地方。 近几年来银价上涨迅猛，给电器制造业带来很大压力。为了降低成本，减少银 的消耗量，研究开发价格便宜,性能可靠的电接触材料具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，对现有银基电接触材料的 组成做了改进，给出了一种低银铜基电接触材料，该铜基电接触材料的电阻 率低、导热和导电性好、触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强，具有优异 的抗电烧蚀和抗熔焊能力,并且大幅度降低了银的用量,可节约大量贵重金 属。本专利技术给出的技术解决方案是:这种低银铜基电接触材料，其特点是还 包括有稀土元素铈，其化学成分(重量％)为银10 20%,导电陶瓷1 15%，氧化镓1 10%，氧化铟1 10%，氧化镍1 5%，铜余量.其中导电陶瓷的组成与现有技术的相同。本专利技术给出的这种低银铜基电接触材料的制备方法，可由含上述组分的 中间合金熔炼制成，对所采用的生产方法无特别限制。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是电阻率低、导热和导电性好、 触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强，具有优异的抗电烧蚀和抗熔焊能力, 并且大幅度降低了银的用量,可节约大量贵重金属。具体实施方式 实施例采用感应炉法冶炼产出的低银铜基电接触材料的化学成分(重量％)为 银15%，导电陶瓷8%，氧化镓5%，氧化铟5%， 氧化镍2.5%，铜余量.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低银铜基电接触材料，其特征在于还包括有稀土元素铈，其化学成分（重量％）为：　银１０～２０％，导电陶瓷１～１５％，氧化镓１～１０％，　氧化铟１～１０％，氧化镍１～５％，铜余量。

【技术特征摘要】
1. 一种低银铜基电接触材料，其特征在于还包括有稀土元素铈，其化学成分(重量％)为银10...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：杨军，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]