一种多重图形化的方法技术

本申请涉及半导体结构的制造方法多重图形化方法，本申请中在多重图形化方法的侧墙结构制程工艺中，在进行侧墙层刻蚀时，采用了原子层刻蚀工艺，从而有效解决了侧墙倒塌变形和尺寸偏移等问题。尺寸偏移等问题。尺寸偏移等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多重图形化的方法


[0001]本申请涉及半导体器件的制造方法，特别是一种多重图形化的方法，尤其是多重图形化工艺中侧墙的刻蚀方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，光刻(photolithography)是常用的一种图形化方法。然而光刻工艺会限制所形成的图形的最小节距(pitch)，因而也限制了集成电路向更小尺寸、更高密度方向的发展。
[0003]多重图形化技术，包括双重图形化(Double Patterning Technology，DPT)、四重图形化(Quadrable Patterning Technology)等，都是一种能够使光刻工艺克服光刻分辨率极限的方法。例如，多重图形化主要包含两种传统的方法：微影-刻蚀-微影-刻蚀(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)和自对准双重图形化(Self-aligned Multi Patterning,SAMP)。
[0004]其中，自对准多重图形技术由于对于图形的重合度具有比较好的可控性，被广泛的应用于半导体领域中。但是，在现有的自对准多重图形技形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上有第一硬掩模层；形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层；形成侧墙层；采用原子层刻蚀工艺对侧墙层进行刻蚀以形成芯轴两侧的侧墙。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述原子层刻蚀工艺包括，前驱体吸附工序；吸附后吹扫工序；活化工序；活化后吹扫工序，以及，以上工序重复进行一次以上。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：重复进行1-100次。4.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：前驱体吸附工序中，将包含含硼卤素气体的前驱体气体和惰性气体供给到处理腔室；进一步的，所述含硼卤素气体包含BCl3，所述惰性气体包含N2、Ar和He所组成的组中的任意一种或者两种以上的组合。5.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：前驱体吸附工序中，将包含C
x
F
y
的前...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄元泰，周娜，李俊杰，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：