温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体结构的制造方法多重图形化方法，本申请中在多重图形化方法的侧墙结构制程工艺中，在进行侧墙层刻蚀时，采用了原子层刻蚀工艺，从而有效解决了侧墙倒塌变形和尺寸偏移等问题。尺寸偏移等问题。尺寸偏移等问题。
...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。