暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法技术

本发明专利技术提供了一种暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法，涉及有源区失效分析技术领域。该暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，针对有源区下方深埋有氧化层的这种具有特定结构的绝缘体上硅器件，先去除金属层之后采用特定组成的第一腐蚀液于特定时间内去除多晶硅层，然后将接触孔层去除，最后再将氮化硅层和绝缘氧化硅层去除，从而使得有源区完全暴露。上述方法避免了采用现有去层方法导致深埋氧化层与硅衬底产生分离的问题，打破了目前绝缘体上硅器件无法去层至有源区的空白，使得有源区可以完全且完好的暴露，对后续于有源区的失效分析提供了前提条件。本发明专利技术还提供了上述暴露绝缘体上硅器件有源区的方法的应用和失效分析方法。用和失效分析方法。用和失效分析方法。

【技术实现步骤摘要】
暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法


[0001]本专利技术涉及有源区失效分析
，尤其是涉及一种暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法。

技术介绍

[0002]伴随着半导体技术的发展，新型半导体器件的开发和应用越来越广泛。绝缘体上硅器件具有高速、低功耗、无闩锁和抗福射能力强等优点，在制备高速微电子器件、低压低功耗器件、高温电路、抗辐照电路等方面具有显著的优势。由于绝缘体上硅器件的特点决定了它使用环境的特殊性，绝缘体上硅器件往往是在严酷的环境条件下使用，如高强度的热应力、机械应力和电应力等。因此，研究相应器件及电路的可靠性，进行失效分析，找到引起失效的根本原因，具有十分重要科学意义及实用价值。
[0003]一般半导体器件的失效分析方法为先电性分析进行失效定位，然后对失效点逐层去层至衬底检查损伤。对于常规的半导体器件，通常使用的去层至有源区的方法是去层到接触孔层之后，采用氢氟酸和超声波振荡，经过较长腐蚀时间，直接把接触孔层、多晶硅层及氮化硅层和绝缘氧化硅层一起去除。氢氟酸腐蚀氧化硅层的速率很快，但由于常规的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）提供绝缘体上硅器件；（b）将绝缘体上硅器件的金属层去除以暴露接触孔层、多晶硅层和绝缘氧化硅层；（c）将绝缘体上硅器件的多晶硅层去除；采用第一腐蚀液去除多晶硅层，去除的时间为0.5
‑
3.0min，所述第一腐蚀液主要由硝酸、乙酸和氢氟酸制成，所述硝酸、乙酸和氢氟酸的体积比为（1
‑
50）：（1
‑
20）：（1
‑
5）；（d）将绝缘体上硅器件的接触孔层去除；（e）将绝缘体上硅器件有源区上的氮化硅层和绝缘氧化硅层去除，以暴露有源区。2.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（b）中，通过研磨方法将金属层去除。3.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述第一腐蚀液中硝酸、乙酸和氢氟酸的体积比为（15
‑
35）：（5
‑
15）：（2
‑
3）。4.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述第一腐蚀液中硝酸、乙酸和氢氟酸的体积比为25：10：2。5.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述多晶硅层的去除的时间为1
‑
3min。6.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述硝酸的质量分数为65
‑
68%;和/或，所述氢氟酸的质量分数为≥40%。7.根据权利要求1所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（c）中，采用第一腐蚀液去除多晶硅层的温度为10
‑
60℃。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（d）中，采用第二腐蚀液去除接触孔层，所述第二腐蚀液主要由氨水和双氧水制成，所述氨水和双氧水的体积比为1：（1
‑
3）。9.根据权利要求8所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（d）中，所述氨水的质量分数为25
‑
28%;和/或，所述双氧水的质量分数为34
‑
50%。10.根据权利要求8所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（d）中，采用所述第二腐蚀液去除接触孔层的温度为10
‑
60℃，时间为1.0
‑
5.0min。11.根据权利要求1
‑
7任一项所述的暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，其特征在于，步骤（e）中，采用第三腐蚀液去除氮化硅层和绝缘氧化硅层，所述第三腐蚀液主要由磷酸和氢氟酸制成，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：白红梅，郑朝晖，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：