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本发明提供了一种暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法，涉及有源区失效分析技术领域。该暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，针对有源区下方深埋有氧化层的这种具有特定结构的绝缘体上硅器件，先去除金属层之后采用特定组成的第一腐蚀液于特定时...
该专利属于上海季丰电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海季丰电子股份有限公司授权不得商用。

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