本实用新型专利技术公开了一种功率模块单元。所述功率模块单元包括表面安装有芯片的基板、底部具有开口结构的壳体及主端子，所述壳体内部形成有容纳腔，用于收容所述芯片，并与基板密封结合，所述壳体相对的两侧还形成有主端子安装孔，所述主端子的一端通过安装孔与基板电连接，所述主端子的另一端伸出壳体外。所述主端子包括一个P端子、两个N端子及两个输出端子，所述P端子及两个N端子安装于壳体的同一侧，且所述P端子位于两个N端子之间，所述两个输出端子安装于与P端子及两个N端子相对的一侧。本实用新型专利技术还公开了一种功率模块组合单元。如此可提高功率密度的同时，降低模块内部寄生电感。降低模块内部寄生电感。降低模块内部寄生电感。
【技术实现步骤摘要】
一种功率模块单元及功率模块组合单元
[0001]本技术涉及一种功率模块单元及功率模块组合单元。
技术介绍
[0002]半导体功率模块单元在当今快速发展的工业领域占有非常重要的地位，由功率器件封装而成的功率模块单元，可广泛应用于光伏、电动汽车等应用领域，因此功率模块单元将以高功率密度、高可靠性为发展路线和目标。
[0003]为了实现高输出功率，通常采用多个子模块并联操作，然而该设计在模块封装工艺过程中，往往在提高系统的高功率密度的设计中，造成模块尺寸过大、寄生电感升高等问题。因此在一些高功率应用场合，随着第三代半导体的快速发展，尤其是碳化硅器件的不断成熟，对高功率密度且低寄生电感的功率模块单元封装结构提出更加迫切的需求。
技术实现思路
[0004]鉴于此，有必要提供一种低寄生电感、高功率密度的功率模块单元及功率模块组合单元。
[0005]本技术为达上述目的所提出的技术方案如下：
[0006]一种功率模块单元，所述功率模块单元包括表面安装有芯片的基板、底部具有开口结构的壳体及主端子，所述壳体内部形成有容纳腔，用于通过所述开口结构收容所述芯片，并与所述基板密封结合，所述壳体相对的两侧还形成有主端子安装孔，所述主端子的一端通过所述安装孔与所述基板电连接，所述主端子的另一端伸出所述壳体外；所述主端子包括一个P端子、两个N端子及两个输出端子，所述P端子及两个N端子安装于所述壳体的同一侧，且所述P端子位于所述两个N端子之间，所述两个N端子为同电位端子，所述两个输出端子安装于与所述P端子及所述两个N端子相对的一侧，所述两个输出端子为同电位端子。
[0007]进一步地，所述功率模块单元还包括引线框架，所述引线框架一体成型，所述引线框架通过金属烧结的方式与所述芯片及所述基板电连接，以构成所述功率模块单元的电路。
[0008]进一步地，所述金属烧结为铜烧结或银烧结，烧结厚度为10um～200um。
[0009]进一步地，所述引线框架的厚度为0.3mm～1.5mm。
[0010]进一步地，所述基板为覆铜陶瓷板。
[0011]进一步地，所述芯片包括若干宽禁带半导体器件，以构成四分之一桥模块电路或者半桥模块电路或者全桥模块电路。
[0012]进一步地，所述功率模块组合单元包括散热板及若干如上述所述功率模块单元，这些功率模块单元通过金属烧结的方式固定于所述散热板上。
[0013]进一步地，所述散热板包括散热底板及若干散热件，所述散热底板设有预制的翘曲度，每个散热件均为针翅式结构，所述若干散热件设置于所述散热底板的一侧，所述功率模块单元固定设置于所述散热底板上远离所述若干散热件的另一侧。
[0014]进一步地，所述功率模块单元的数量为一个或三个。
[0015]上述功率模块单元及功率模块组合单元通过将P端子及两个N端子设置于壳体的同一侧，且所述P端子位于所述两个N端子之间，还通过在所述P端子及所述两个N端子相对的一侧设置两个输出端子；另外，还通过一体成型的引线框架来构成功率模块单元四分之一桥模块电路或者半桥模块电路或者全桥模块电路等不同的模块电路。如此，在增强功率模块单元的可靠性和提高功率密度的同时极大地能够减小模块内部的寄生电感，并可通过烧结工艺和散热板进行连接，以组合成多种不同电路模块，形成功率模块组合单元。如此一来，灵活地满足不同的功能需求，扩大了应用范围。
附图说明
[0016]图1是本技术提供的功率模块单元的一较佳实施方式的结构示意图。
[0017]图2是本技术提供的功率模块单元的一较佳实施方式的结构分解图。
[0018]图3是本技术提供的功率模块组合单元的一较佳实施方式的平面结构示意图。
[0019]图4是图3提供的功率模块组合单元的一较佳实施方式的截面示意图。
[0020]图5是本技术提供的功率模块组合单元的另一较佳实施方式的平面结构示意图。
[0021]图6是图5提供的功率模块组合单元的一较佳实施方式的截面示意图。
[0022]主要元件符号说明
[0023]功率模块单元
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100
[0024]芯片
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10
[0025]基板
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20
[0026]壳体
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30
[0027]外壳
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32
[0028]盖板
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34
[0029]主端子
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40
[0030]P端子
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42
[0031]N端子
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44
[0032]输出端子
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46
[0033]引线框架
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50
[0034]功率模块组合单元
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200
[0035]散热板
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300
[0036]散热底板
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310
[0037]散热件
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320
[0038]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。
具体实施方式
[0039]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解
释本技术，并不用于限定本技术。
[0040]请参考图1及图2，图1为本技术所提供的功率模块单元的一较佳实施方式的结构示意图，图2为本技术所提供的功率模块单元的一较佳实施方式的结构分解图。如图所示，所述功率模块单元100包括表面安装有芯片10的基板20、底部具有开口结构的壳体30及主端子40。所述壳体30内部形成有容纳腔，用于通过所述开口结构收容所述芯片10，并与所述基板20密封结合。在本实施方式中，所述壳体30的容纳腔内采用树脂灌封，以塑封所述芯片10。所述壳体30相对的两侧还形成有主端子安装孔。所述主端子40的一端通过所述安装孔与所述基板20电连接，所述主端子40的另一端伸出所述壳体外。所述主端子40包括一个P端子42、两个N端子44及两个输出端子46。所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率模块单元，其特征在于，所述功率模块单元包括表面安装有芯片的基板、底部具有开口结构的壳体及主端子，所述壳体内部形成有容纳腔，用于通过所述开口结构收容所述芯片，并与所述基板密封结合，所述壳体相对的两侧还形成有主端子安装孔，所述主端子的一端通过所述安装孔与所述基板电连接，所述主端子的另一端伸出所述壳体外；所述主端子包括一个P端子、两个N端子及两个输出端子，所述P端子及两个N端子安装于所述壳体的同一侧，且所述P端子位于所述两个N端子之间，所述两个N端子为同电位端子，所述两个输出端子安装于与所述P端子及所述两个N端子相对的一侧，所述两个输出端子为同电位端子。2.如权利要求1所述的功率模块单元，其特征在于，所述功率模块单元还包括引线框架，所述引线框架一体成型，所述引线框架通过金属烧结的方式与所述芯片及所述基板电连接，以构成所述功率模块单元的电路。3.如权利要求2所述的功率模块单元，其特征在于，所述金属烧结为铜烧结或银烧结，烧结厚度为10um～200...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柳，孙军，和巍巍，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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