高密封大体积继电器的外壳制造技术

技术编号:3144033 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种高密封大体积继电器的外壳,属于继电器部件,适于作高密封大体积继电器的外壳之用。它包括有基板及外罩几部分,将基板吻合固定在外罩口上,其结构简单、加工方便,密封效果好,应用前景广阔。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
专利说明 一、
本技术涉及一种高密封大体积继电器的外壳,属于继电器部件,适于作高密封大体积继电器的外壳之用,它将继电器内部结构完全密封,确保内、外气体完全隔离。二
技术介绍
现有继电器外壳的基板与外罩口部存在气隙,因而密封性差,即使是经过焊接固定,由于焊锡的致密性较差,所以只能在泄漏率大的继电器中使用,至今,从未有高密封大体积继电器的外壳,可供高密封大体积继电器进一步发展使用的需要。三
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有继电器外壳密封性差的不足之处,从而提供一种高密封大体积继电器的外壳,它结构简单、加工方便、密封性能好,适于作高密封大体积继电器的外壳之用。本技术的目的是通过以下途径来实现的本技术包括有基板及外罩几部分,将基板吻合固定在外罩口上。在所说的基板边沿设翻边或凹槽,所说的凹槽包括有V形、U形、方形。在所说的外罩口外边沿设斜边或台阶。本技术对比现有技术具有如下优点1、本技术结构简单、加工方便;2、本技术密封效果好。四附图说明图1为本技术实施例结构示意图,其中1-基板、2-外罩。图2为本技术实施例基板边沿设翻边的结构示意图,其中3-翻边。图3是本技术基板边沿设V形凹槽的结构示意图,其中4-凹槽图4为本技术实施例外罩口外边沿为斜边的结构示意图,其中5-斜边。图5为本技术外罩口外边沿为台阶的结构示意图,其中6-台阶。五具体实施方式本技术以下结合附图实施例进行详述本技术实施例包括有基板1及外罩2几部分,将基板1用激光熔焊固定在外罩2 口上。在所说的基板1边沿设翻边3或凹槽4,所说的凹槽包括有V形、U形、方形,本实施例采用基板1为设翻边3的结构。在所说的外罩2 口外边设斜边5或台阶6,本实施例采用外罩2口外边设斜边5的结构。使用时,将继电器的内部结构固定在基板1上,再将基板1用激光熔焊固定在外罩2口上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密封大体积继电器的外壳,它包括有基板(1)及外罩(2)几部分,将基板(1)吻合固定在外罩(2)口上,其特征在于:所说的基板(1)边沿设翻边(3)或凹槽(4),在所说的外罩(2)口外边设斜边(5)或台阶(6)。

【技术特征摘要】
1.一种高密封大体积继电器的外壳,它包括有基板(1)及外罩(2)几部分,将基板(1)吻合固定在外罩(2)口上,其特征在于所说的基板(1)边沿设翻边(3)或凹...

【专利技术属性】
技术研发人员:王凌志
申请(专利权)人:贵州航天电器股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:52[中国|贵州]

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