半导体零件保护涂层制造技术

本实用新型专利技术之半导体零件保护涂层是应用于一半导体零件，半导体零件保护涂层包括一第一晶种层及一第一零件保护层。其中，第一晶种层是沉积于半导体零件的表面。此外，第一零件保护层是沉积于该第一晶种层的表面，以使该第一零件保护层之表面的晶格方向相同于第一晶种层之表面的晶格方向。其中，第一零件保护层的厚度是第一晶种层的厚度的7倍或7倍以上。其中，底层之第一零件保护层有一特性方向，在沉积复数第一零件保护层时沿着其方向生长，使第一零件保护层呈现类单晶结构，借此增加抗电浆性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体零件保护涂层


[0001]本技术是指一种半导体零件保护涂层，特别是指一种具有第一晶种层的半导体零件保护涂层。

技术介绍

[0002]在半导体技术产业中，常用之半导体制程如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、反应离子蚀刻(RIE,Reactive Ion Etching)、面板及自动化设备运用等等，均采用陶瓷层来保护腔体内之金属部件。由于电浆蚀刻是将电磁能量运用在含有化学反应成分的气体(如氟或氯)中进行，电浆会释放带电的离子并撞击晶圆以蚀刻材料，并产生化学反应。该电浆与被蚀刻的材料交互作用形成挥发性或非挥发性的残留物。因此，在半导体零件的金属层上方的陶瓷层便成为很好的防护层。此外，当半导体零件暴露在氟基电浆时，经过腐蚀后之陶瓷层会被氟化而生成颗粒，此颗粒会污染腔体环境，导致半导体零件产生缺陷。
[0003]目前用来保护半导体零件的抗电浆蚀刻涂层是使用电浆喷涂为主。然而，由于典型的抗电浆蚀刻涂层为多晶陶瓷，多晶陶瓷中晶粒边界蚀刻速率较快，容易造成蚀刻后的表面粗糙度增加以及形成污染。
[0004]随着半导体技术的成长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体零件保护涂层，应用于一半导体零件，该半导体零件保护涂层，其特征在于，包括：一第一晶种层，沉积于该半导体零件的表面；及一第一零件保护层，沉积于该第一晶种层的表面，以使该第一零件保护层之表面的晶格方向相同于该第一晶种层之表面的晶格方向；其中，该第一零件保护层的厚度是该第一晶种层的厚度的7倍或7倍以上。2.一种半导体零件保护涂层，应用于一半导体零件，该半导体零件保护涂层，其特征在于，包括：一第一晶种层，沉积于该半导体零件的表面；一黏着层，位于该第一晶种层及该半导体零件之间；及一第一零件保护层，沉积于该第一晶种层的表面，以使该第一零件保护层之表面的晶格方向相同于该第一晶种层之表面的晶格方向；其中，该第一零件保护层的厚度是该第一晶种层的厚度的7倍或7倍以上。3.如权利要求1或权利要求2所述之半导体零件保护涂层，其特征在于，还包括：至少一第二晶种层，沉积于该第一零件保护层的表面；及至少一第二零件保护层，沉积于该第二晶种层的表面，以使该第二零件保护层之表面的晶格方向相同于该第二晶种层之表面的晶格方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗丰，苏修贤，李文亮，蔡宇砚，周冠廷，赖泱蓉，
申请(专利权)人：翔名科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：