一种低压带隙基准电压产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低压带隙基准电压产生电路，属于半导体芯片的设计技术领域，该电路包括I

【技术实现步骤摘要】
一种低压带隙基准电压产生电路


[0001]本专利技术属于半导体芯片的设计
，具体涉及一种低压带隙基准电压产生电路。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片技术的发展进步和应用的不断拓宽，高性能、低成本的设计技术越来越重要。带隙基准电压是最基本、最重要的芯片模块。由它产生的基准电压具有很高的稳定性和精确度。如图1所示，高精度、低噪声的带隙电压或与其成比例的基准电压，是高精度的模数及数模转换器、电压检测、电源管理，等芯片和模块中必不可少的。
[0003]既有的适用于低电源电压的带隙基准电压产生器，如图2，基本上都需要一个误差放大器(EA：error amplifier)来实现反馈控制。放大器的输入失调，以及反馈环路的噪声放大、低带宽、频率补偿等问题，都时既有芯片设计方法的缺点和不足。另外，该电路不便产生正温度系数(PTAT：proportional to absolute temperature))和负温度系数(CTAT：complementary to absolute temperature)的电流输出。
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技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压带隙基准电压产生电路，其特征在于，该电路包括I
PTAT
产生器、I
PTAT
电流镜和I
CTAT
产生器；所述I
PTAT
产生器，包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、PMOS管M1和M2，用于产生I
PTAT
；其中，电阻R1两端的电压差/三极管Q1与Q2的电压差为ΔV
be
，三极管Q2和Q1的尺寸比例为N，忽略基极电流，则流过Q2和Q1的电流相同；所述I
PTAT
电流镜，连接到所述I
PTAT
产生器上，包括PMOS管M1、M2、M3及M4，用于对PTAT电流进行偏置，生成偏置电流；所述I
CTAT
产生器，连接到I
PTAT
电流镜上，包括PMOS管M4和M6、NMOS管M5、三极管Q3、以及电阻R2，用于产生I
CTAT
。2.根据权利要求1所述的一种低...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文星，万海军，李健平，
申请(专利权)人：苏州聚元微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：