可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，另外一个是与所述直角三角形底面共用斜边的长方形侧面。本实用新型专利技术设计了一种直三棱柱结构的TEM制样支撑装置。利用直三棱柱五面体结构的支撑作用和直角边长方形侧面固定芯片并使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面进行切割的目的，解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。制备的成功率和TEM试片的品质。制备的成功率和TEM试片的品质。

【技术实现步骤摘要】
可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置


[0001]本技术涉及一种TEM制样支撑装置，尤其涉及一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置。

技术介绍

[0002]随着集成电路产业的发展和半导体市场的总体需求增加，芯片的设计和应用也逐渐趋于多元化。芯片生产完成后，需要测试特征尺寸来确认是否符合其设计需求，针对半导体器件的微结构观察，透射电子显微镜(TEM)由于其高解析高分辨率成为必不可少的分析仪器。而TEM样品需经过双束离子束(DB
‑
FIB)制备成试片后才能进行分析。目前TEM样品制备的现有技术中，一般是将芯片水平放置于样品台上，从芯片的表面向下进行切割，以观察芯片的截面结构。对于较深的结构，在制备成TEM试片的过程中，结构底部极易形成刀痕，且制成的试片厚薄不均匀，品质不佳，最终影响TEM观察和尺寸量测。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供了一种新的可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，此支撑装置可固定样品且使样品侧面朝上，进而在样品侧面进行TEM制样，将样品的深度变成宽度，解决了较深结构TEM试片品质不佳的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，其特征在于：所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡齐航，余维松，谢亚珍，
申请(专利权)人：苏试宜特上海检测技术有限公司，
类型：新型
国别省市：